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龙图腾网获悉成都环宇芯科技有限公司申请的专利一种基于SIP技术的SiC三相桥驱动电路模块及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119602665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411710151.6，技术领域涉及：H02P27/08；该发明授权一种基于SIP技术的SiC三相桥驱动电路模块及电路是由刘恩博;汪强;周射;郑平设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SIP技术的SiC三相桥驱动电路模块及电路在说明书摘要公布了：一种基于SIP技术的SiC三相桥驱动电路模块及电路，涉及集成电路技术领域，SiC三相桥驱动电路模块包括SiC三相桥驱动电路及金属散热板、金属盖板、绝缘外壳、下层基板、上层基板，SiC三相桥驱动电路包括电源转换电路、四通道隔离电源、六路SiCMOSFET驱动电路、SiCMOSFET三相全桥功率模组，其中SiCMOSFET三相全桥功率模组布局于下层基板上，电源转换电路、四通道隔离电源、六路SiCMOSFET驱动电路布局于上层基板上。本发明采用系统性封装SIP技术，将有源芯片及无源器件封装到同一个模块内部，后级可直接驱动高压三相无刷直流电机，实现SiCMOSFET驱动的小型化、模块化、轻量化。

本发明授权一种基于SIP技术的SiC三相桥驱动电路模块及电路在权利要求书中公布了：1.一种SiC三相桥驱动电路，其特征在于，包括电源转换电路、四通道隔离电源、六路SiCMOSFET驱动电路、SiCMOSFET三相全桥功率模组，其中： 所述电源转换电路的输入端接控制电源VCC，其输出的+12V电源VCC12V为四通道隔离电源中的PWM控制器提供电源输入，其输出的+5V电源VCC5V为六路SiCMOSFET驱动电路提供电源输入； 所述四通道隔离电源包括PWM控制器和四通道隔离变压器，用于将所述控制电源VCC转换为U相高侧隔离电源PHU、V相高侧隔离电源PHV、W相高侧隔离电源PHW及低侧隔离电源PL共四路隔离电源，每一路隔离电源均包括+18V、-5V及GND零电位，为六路SiCMOSFET驱动电路提供隔离电源及GND零电位； 所述六路SiCMOSFET驱动电路用于将电机控制单元输出的U相高侧控制信号IN+_UH、U相低侧控制信号IN+_UL、V相高侧控制信号IN+_VH、V相低侧控制信号IN+_VL、W相高侧控制信号IN+_WH、W相低侧控制信号IN+_WL共六路PWM控制信号，分别转换为U相高侧隔离驱动信号PWM_UH、U相低侧隔离驱动信号PWM_UL、V相高侧隔离驱动信号PWM_VH、V相低侧隔离驱动信号PWM_VL、W相高侧隔离驱动信号PWM_WH、W相低侧隔离驱动信号PWM_WL共六路隔离驱动信号；其中U相高侧、V相高侧、W相高侧驱动电路分别使用所述U相高侧隔离电源PHU、V相高侧隔离电源PHV、W相高侧隔离电源PHW，U相低侧、V相低侧、W相低侧驱动电路均使用所述低侧隔离电源PL； 所述SiCMOSFET三相全桥功率模组用于在所述六路隔离驱动信号的控制下，按时序导通六路SiCMOSFET，并输出U相、V相、W相驱动电流驱动三相无刷直流电机； 所述SiCMOSFET三相全桥功率模组内还设置有热敏电阻R71，热敏电阻R71的正端RTC+及负端RTC-用于接至电机控制单元。

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