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龙图腾网获悉徐州仟目科技集团有限公司申请的专利一种内腔VCSEL外延结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411667930.2，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种内腔VCSEL外延结构及其制作方法是由陈昭;代露;李星设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内腔VCSEL外延结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种内腔VCSEL外延结构，属于半导体激光器技术领域，包括外延片，所述外延片包括GaAs衬底、n区未掺杂的DBR、n型DBR、量子阱有源区、氧化层、p型DBR、p区未掺杂DBR，本发明在有源区两边的分布布拉格反射镜中间插入一层较厚的与GaAs衬底晶格匹配的In0.49Ga0.51P层，通过刻蚀使该层暴露出来然后在其上制作欧姆接触电极，以此形成内腔接触。内腔接触减少了串联的DBR对数，可以较大的降低芯片的串联电阻。此外In0.49Ga0.51P层的带隙宽度1.88eV，比GaAs的1.42V大得多，也不含易氧化的铝组分，改进了使用AlGaAs内腔接触层暴露易氧化的缺点和GaAs在短波段光易被吸收的负面效果。采用此结构可以更加灵活的控制器件的串联电阻和发热，芯片的光电转换效率和可靠性更优。

本发明授权一种内腔VCSEL外延结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种内腔VCSEL外延结构，其特征在于，包括外延片，所述外延片包括GaAs衬底、n区未掺杂的DBR21、n型DBR23、量子阱有源区24、氧化层、p型DBR25、p区未掺杂DBR27； 所述量子阱有源区24两侧的p型DBR25与n型DBR23，至少有一侧中间插入一层与GaAs衬底晶格匹配的In0.49Ga0.51P层； 通过光刻胶掩膜，刻蚀去除p区未掺杂DBR27和相邻的In0.49Ga0.51P层，光刻后，利用电子束蒸发在In0.49Ga0.51P层上制作p区金属接触电极28，沉积完后，剥离去除光刻胶； 氧化台面刻蚀至n型DBR23以形成氧化沟槽29，采用湿法氧化以形成氧化孔； 正面N电极区光刻及PN深刻蚀，刻蚀深度超过n型DBR23，达到n型DBR23相邻的In0.49Ga0.51P层，在n型DBR23相邻的In0.49Ga0.51P层上制备n区金属接触电极30。

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