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龙图腾网获悉中国科学院上海高等研究院申请的专利一种质子氦离子注入器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663569.6，技术领域涉及：H05H7/22；该发明授权一种质子氦离子注入器是由陆羿行;郭玉森;方文程;赵振堂设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种质子氦离子注入器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种质子氦离子注入器，一台ECR离子源产生He2+离子束，另一台ECR离子源产生H2 +离子束，He2+或H2 +离子束经过偏转磁铁选择后经过LEBT传输和聚焦进入RFQ，RFQ的聚焦因子先增大再减小，DTL为采用KONUS束流动力学设计的IH‑DTL并包括两个KONUS周期，RFQ和DTL的工作频率分别为425MHz，He2+或H2 +离子束经过RFQ和DTL加速后，MEBT将离子束分配和传输到下游的加速器和同位素生产装置中。根据本发明的质子氦离子注入器，使粒子束能够满足后续同步加速器的注入需求，实现质子氦离子注入器的小型化，兼顾医用同位素生产。

本发明授权一种质子氦离子注入器在权利要求书中公布了：1.一种质子氦离子注入器，其特征在于，该质子氦离子注入器包括离子源系统、RFQ、DTL和MEBT，其中，离子源系统包括两台ECR离子源和LEBT，一台ECR离子源产生He2+离子束，另一台ECR离子源产生H2 +离子束，He2+或H2 +离子束经过偏转磁铁选择后经过LEBT传输和聚焦进入RFQ，RFQ的聚焦因子先增大再减小，DTL为采用KONUS束流动力学设计的IH-DTL并包括两个KONUS周期，RFQ和DTL的工作频率分别为425MHz，He2+或H2 +离子束经过RFQ和DTL加速后，MEBT将离子束分配和传输到下游的加速器和同位素生产装置中，RFQ的极头分为径向匹配段、预聚束段、主聚束段、混合聚束加速段和加速段；在径向匹配段中，聚焦力从0增长到最大值；在预聚束段中，同步相位从-90°缓慢变化到-88°，纵向电场从0开始增加；在主聚束段，同步相位快速升高到-35°，同时调制系数缓慢增加，在快速提高加速效率的同时缓慢增加加速场；在混合聚束加速段中，同步相位缓慢增加到最终值，调制系数快速增加；加速段使用恒定的同步相位，调制系数缓慢增加同时聚焦因子减小。

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