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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利SGT器件的终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663109.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权SGT器件的终端结构是由曾大杰设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT器件的终端结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SGT器件的终端结构，原胞区中的第一沟槽平行排列。终端区环绕在原胞区的周侧，位于第一沟槽的排列方向上两侧的第一方向终端区中的第一终端结构包括填充于和第一沟槽平行的第二沟槽中的第二屏蔽介质层和连接源极的第二屏蔽导电材料层组成的第二沟槽结构；在第二方向终端区中的第二终端结构包括第一沟槽延伸结构以及形成于漂移区表面区域中的多个浮空区。本发明能提高终端区的耐压，且能降低工艺难度并提高工艺窗口。

本发明授权SGT器件的终端结构在权利要求书中公布了：1.一种SGT器件的终端结构，其特征在于：终端区环绕在原胞区的周侧； 在所述原胞区中，SGT器件包括多个器件单元结构； 各所述器件单元结构包括： 形成于第一沟槽中的第一沟槽结构，各所述第一沟槽平行排列；所述第一沟槽结构包括第一屏蔽介质层、第一屏蔽导电材料层、栅介质层、栅极导电材料层和栅极间介质层；所述第一屏蔽导电材料层连接到由正面金属层组成的源极； 第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区还延伸到所述终端区中； 在所述原胞区的所述漂移区的表面区域中还形成有第二导电类型掺杂的沟道区，所述沟道区连接到所述源极； 第一方向为各所述第一沟槽的排列方向，第二方向为各所述第一沟槽的延伸方向；所述终端区分成第一方向终端区和第二方向终端区，所述第一方向终端区位于所述原胞区的沿所述第一方向上的两侧；所述第二方向终端区位于所述原胞区的沿所述第二方向上的两侧； 终端结构包括形成于所述第一方向终端区中的第一终端结构和形成于所述第二方向终端区中的第二终端结构； 所述第一终端结构至少包括一根以上的第二沟槽结构，所述第二沟槽结构形成于第二沟槽中，所述第二沟槽和所述第一沟槽平行；所述第二沟槽结构包括形成于所述第二沟槽内侧表面的第二屏蔽介质层以及填充于所述第二沟槽中的第二屏蔽导电材料层，所述第二屏蔽导电材料层将所述第二屏蔽介质层内部的所述第二沟槽的间隙完全填充；在所述第一方向上，所述沟道区的第一边缘和最内侧的所述第二沟槽的内侧侧面自对准；所述第二屏蔽导电材料层连接到源极； 所述第二终端结构包括第一沟槽延伸结构，所述第一沟槽延伸结构由所述第一沟槽结构延伸到所述第二方向终端区形成；在所述第二方向上，所述沟道区的第二边缘位于所述原胞区的边缘；所述第二终端结构还包括多个第二导电类型掺杂的浮空区；在各所述第一沟槽延伸结构之间以及最外侧的所述第一沟槽延伸结构和最内侧的所述第二沟槽结构之间的所述沟道区外侧的所述漂移区中都设置有多个所述浮空区；所述浮空区用于降低所述沟道区的第二边缘的曲率效应，由所述浮空区和所述第一沟槽延伸结构一起提高所述第二方向终端区的耐压。

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