华中科技大学;湖北光谷实验室戴乐天获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北光谷实验室申请的专利一种柔性二维锡基钙钛矿光探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411657043.7，技术领域涉及：H10K30/88；该发明授权一种柔性二维锡基钙钛矿光探测器及其制备方法是由戴乐天;王鸣魁设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性二维锡基钙钛矿光探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种柔性二维锡基钙钛矿光探测器及其制备方法。本发明的柔性二维锡基钙钛矿光探测器，包括柔性硅片、金属背电极、二维锡基钙钛矿薄膜、透明导电电极、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；其中，聚甲基丙烯酸甲酯薄膜够有效阻挡空气中的水汽和氧气，防止Sn2+被氧化为Sn4+，从而提升器件的环境稳定性和使用寿命；本发明的光探测器适用于可穿戴设备、柔性显示器和智能传感器领域，具有宽光谱响应能力，能够从紫外到红外波段进行高效光电转换。
本发明授权一种柔性二维锡基钙钛矿光探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性二维锡基钙钛矿光探测器，其特征在于，包括： 柔性硅片； 金属背电极，位于所述柔性硅片一表面； 二维锡基钙钛矿薄膜，位于所述柔性硅片远离所述金属背电极的表面，所述二维锡基钙钛矿薄膜位于所述柔性硅片中部，所述柔性硅片两侧未被所述二维锡基钙钛矿薄膜覆盖； 透明导电电极，位于所述二维锡基钙钛矿薄膜远离所述柔性硅片表面，所述透明导电电极两侧朝柔性硅片的未被所述二维锡基钙钛矿薄膜覆盖的区域延伸并与所述柔性硅片贴合； 聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，位于所述透明导电电极远离所述柔性硅片且对应二维锡基钙钛矿薄膜的表面。
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