西安电子科技大学武玫获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650437B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411656297.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法是由武玫;何小涵;马晓华;李仕明;杨凌;张濛;侯斌;芦浩;郝跃设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法，包括：对第一金刚石进行粗抛光，并对半导体和抛光后的第一金刚石进行清洗；在清洗后的第一金刚石表面淀积第一中间层，并在清洗后的半导体表面淀积第二中间层，其中，第一中间层和第二中间层的材料相同；基于确定好的表面刻蚀参数，使用氩原子束修复技术刻蚀第一中间层和第二中间层，直至第一中间层的厚度和粗糙度满足预设条件，得到刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层；将刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层键合，实现第一金刚石和半导体的键合。该方法解决了因金刚石表面粗糙度导致的超薄中间层键合困难问题，兼顾了金刚石与半导体材料键合的稳定性和高效散热性能。
本发明授权一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法，其特征在于，包括步骤： S1、对第一金刚石进行粗抛光，并对半导体和抛光后的第一金刚石进行清洗； S2、在清洗后的第一金刚石表面淀积第一中间层，并在清洗后的半导体表面淀积第二中间层，其中，所述第一中间层和所述第二中间层的材料相同； S3、基于预实验确定好的表面刻蚀参数，使用氩原子束修复技术刻蚀所述第一中间层和第二中间层，直至所述第一中间层的厚度和粗糙度满足预设条件，得到刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层；所述预设条件包括：粗糙度小于预设粗糙度且厚度小于预设厚度； S4、将所述刻蚀后的第一中间层和所述刻蚀后的第二中间层键合，实现所述第一金刚石和所述半导体的键合。
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