买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请的专利边缘刻蚀装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223378135U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422828363.6，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型边缘刻蚀装置是由杨海龙设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本边缘刻蚀装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种边缘刻蚀装置，属于半导体制造技术领域。装置包括：上腔体；下腔体，所述下腔体的上表面设有微处理腔室，所述下腔体位于所述上腔体的下方，且所述上腔体和所述下腔体相对可升降，以使所述上腔体和所述下腔体配合能够封闭或打开所述微处理腔室，其中，所述微处理腔室的周向边缘设有刻蚀槽；贯穿所述下腔体的底部的多个支撑杆，所述多个支撑杆用于在所述下腔体下降、所述微处理腔室打开时，对硅片进行支撑，每一所述支撑杆上设有一位置检测组件，所述位置检测组件用于在装载所述硅片进入所述微处理腔室时对所述硅片的位置进行检测，以使所述硅片装载至所述微处理腔室的中心位置。本实用新型能够减小边缘刻蚀宽度偏差。

本实用新型边缘刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种边缘刻蚀装置，用于对硅片背面密封薄膜的边缘进行刻蚀；其特征在于，所述边缘刻蚀装置包括： 上腔体； 下腔体，所述下腔体的上表面设有微处理腔室，所述下腔体位于所述上腔体的下方，且所述上腔体和所述下腔体相对可升降，以使所述上腔体和所述下腔体配合能够封闭或打开所述微处理腔室，其中，所述微处理腔室的周向边缘设有刻蚀槽； 贯穿所述下腔体的底部的多个支撑杆，所述多个支撑杆用于在所述下腔体下降、所述微处理腔室打开时，对硅片进行支撑，每一所述支撑杆上设有一位置检测组件，所述位置检测组件用于在装载所述硅片进入所述微处理腔室时对所述硅片的位置进行检测，以使所述硅片装载至所述微处理腔室的中心位置； 所述边缘刻蚀装置包括第一状态和第二状态，在所述第一状态，所述下腔体下降，所述上腔体和所述下腔体分离打开所述微处理腔室，所述多个支撑杆对传送进入所述微处理腔室的硅片进行支撑；在第二状态，所述下腔体上升，所述上腔体和所述下腔体相互接触封闭所述微处理腔室，所述微处理腔室的侧壁支撑所述硅片，所述多个支撑杆与所述硅片脱离接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。