浙江日月光能科技有限公司王霁获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江日月光能科技有限公司申请的专利一种改善TOPCon电池UV衰减的膜层结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223379541U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422818616.1，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种改善TOPCon电池UV衰减的膜层结构是由王霁;董志民;黄浩设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善TOPCon电池UV衰减的膜层结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电池制备技术领域，具体涉及一种改善TOPCon电池UV衰减的膜层结构，包括硅基体，所述硅基体的两端对称设置有电极，所述硅基体的底部依次设置有叠膜层和第一氮化硅层。本实用新型通过叠层工艺，在TOPCon电池片的掺杂poly层中间增加一层氧化层作为阻挡层，形成叠膜层结构，有效提升TOPCon太阳电池的电性能，同时在沉积正面氧化铝，并在电池硅片正表面叠加氧化铝膜层和氮氧化硅膜层时，通过将电池片在RCA后静置4h，正背面增长均匀氧化层，再叠加氧化铝膜层（ALD85s+CVD230s）+30s氮氧化硅膜层+氮化硅膜层，可减少紫外线对TOPCon电池片的伤害，降低UV30对电池片电性能的损耗。
本实用新型一种改善TOPCon电池UV衰减的膜层结构在权利要求书中公布了：1.一种改善TOPCon电池UV衰减的膜层结构，包括硅基体（1），所述硅基体（1）的两端对称设置有电极（2），其特征在于，所述硅基体（1）的底部依次设置有叠膜层（3）和第一氮化硅层（4），且所述硅基体（1）的顶部依次设置有硼发射极层（5）、氧化铝层（6）、氮氧化硅层（7）和第二氮化硅层（8），所述叠膜层（3）包括第一氧化层（31）、第一掺杂层（32）、第二氧化层（33）和第二掺杂层（34），且所述第一氧化层（31）、第一掺杂层（32）、第二氧化层（33）和第二掺杂层（34）由上往下依次叠加。
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