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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411639452.4，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路是由张雷;郭润东;任磊;郑一专;姚志远;杨素素设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自适应抑制SiIGBT和SiCMOSFET混合并联串扰的驱动电路，包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号，再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘，生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号，开启负向串扰抑制电路，另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压，一旦由正向串扰电流流过驱动电阻，将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响，具自适应性，且响应速度快，实时性好的优点。

本发明授权一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种自适应抑制SiIGBT和SiCMOSFET混合并联串扰的驱动电路，其特征在于，包括双边栅极驱动芯片、串扰抑制电路、差分放大电路和模拟乘法器； 所述双边栅极驱动芯片用于输出混合并联的SiIGBT和SiCMOSFET的驱动信号； 所述差分放大电路包括SiCMOSFET差分放大电路和SiIGBT差分放大电路；SiCMOSFET差分放大电路将SiIGBT驱动信号接入运放同相输入端，SiCMOSFET驱动信号接入运放反相输入端，两个信号经过差分放大后，生成一个只包括延时开关部分的驱动信号；SiIGBT差分放大电路将SiCMOSFET驱动信号接入运放同相输入端，SiIGBT驱动信号接入运放反相输入端，两个信号经过差分放大后，生成一个只包括延时开关部分的驱动信号； 所述模拟乘法器包括SiCMOSFET模拟乘法器和SiIGBT模拟乘法器；SiCMOSFET模拟乘法器将SiCMOSFET差分放大电路输出与经过电压抬升后的SiIGBT驱动信号相乘，生成PWM1；若此时SiCMOSFET驱动信号相对于SiIGBT驱动信号为后开通先关断，则输出PWM1信号；SiIGBT模拟乘法器将SiIGBT驱动信号差分放大电路输出与经过抬升后的SiCMOSFET驱动信号相乘，生成SiIGBT负向串扰抑制电路开通信号PWM2，若此时SiIGBT驱动信号为后开通先关断，则输出PWM2信号； 混合并联的SiCMOSFET和SiIGBT均分别接入一组串扰抑制电路；所述串扰抑制电路包括正向串扰抑制电路和负向串扰抑制电路；所述正向串扰电路包括一个PNP型三极管和一个RC并联支路，PNP型三极管基极与发射极分别接在驱动电阻两端，当发生正向串扰时候，PNP型三极管开通，正向串扰电流经过该PNP型三极管，并流入RC并联支路，进而抑制正向串扰发生；所述负向串扰抑制电路包括一个N沟道MOSFET和一个RC并联支路，其RC并联支路复用正向串扰抑制电路中的RC并联支路部分，当SiIGBTQ或SiCMOSFETM发生负向串扰时，N沟道MOSFET栅极接入的PWM信号将使其导通，反向串扰电流经过该N沟道MOSFET，从RC并联支路导出，进而抑制负向串扰发生。

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