买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)申请的专利一种应用于脉冲中子辐射场监测的多球中子谱仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119439227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411631132.4，技术领域涉及：G01T3/08；该发明授权一种应用于脉冲中子辐射场监测的多球中子谱仪是由钟国强;朱其威设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于脉冲中子辐射场监测的多球中子谱仪在说明书摘要公布了：本发明公开一种应用于脉冲中子辐射场监测的多球中子谱仪，包括：3He气体探测器、4H‑SiC半导体探测器、中子慢化球、前置放大器、谱仪主放大器、高压电源、多道分析仪。将3He气体探测器和4H‑SiC半导体探测器设计在一套多球中子谱仪的中子慢化体中，采用双探测器多球中子谱仪在脉冲中子辐射辐射场中应用，分别对中子通量为101~104n·cm‑2s‑1和中子通量为103~106n·cm‑2s‑1的脉冲中子辐射场中进行中子能谱及剂量测量。本发明利用基于3He气体探测器和4H‑SiC半导体探测器的双探测器多球中子谱仪数据采集系统，实现了宽能区中子能谱分布信息和中子剂量的测量。

本发明授权一种应用于脉冲中子辐射场监测的多球中子谱仪在权利要求书中公布了：1.一种应用于脉冲中子辐射场监测的多球中子谱仪，其特征在于：所述多球中子谱仪包括3He气体探测器、4H-SiC半导体探测器、中子慢化球、前置放大器、快电荷灵敏前置放大器、谱仪主放大器、高压电源、数字化多道分析仪； 其中，3He气体探测器和4H-SiC半导体探测器均设置于同一中子慢化球中，进入中子慢化球的一部分中子进入4H-SiC半导体探测器中，与4H-SiC半导体探测器内的28Si和12C核素发生核反应产生的电离信号，该电离信号通过快电荷灵敏前置放大器进行放大；进入中子慢化球的另一部分中子进入3He气体探测器中与3He气体发生3He（n,p）T反应，生成的质子p和氚核T并释放出能量，引起3He气体探测器的计数，前置放大器用于将3He气体探测器产生的计数信号进行初步放大，谱仪主放大器为前置放大器放大后的电信号进行滤波，所述高压电源为前置放大器和快电荷灵敏前置放大器提供偏置电压，所述多道分析仪对快电荷灵敏前置放大器和前置放大器放大后的脉冲信号幅度进行记录、分析，根据脉冲信号幅度选择性的计数，然后进行二进制编码，再将计数的脉冲信号从低到高的顺序排序，从而形成脉冲幅度谱。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)，其通讯地址为：230031 安徽省合肥市庐阳区三国城路80号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。