芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司李峰柱获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119518424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411635947.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由李峰柱;吴昌翰;王冲设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中垂直腔面发射激光器包括依次层叠的衬底、第一导电类型反射层、有源层和第二导电类型反射层；有源层包括至少三个量子阱层以及氧化层和隧穿结层；隧穿结层包括第二导电类型掺杂层和第一导电类型掺杂层；第一导电类型掺杂层的材料包括Ⅲ‑Ⅴ族多元化合物，多个第一导电类型掺杂层中，至少有两个第一导电类型掺杂层的Ⅲ族元素的组分不同；和或，第二导电类型掺杂层的材料包括Ⅲ‑Ⅴ族多元化合物，多个第二导电类型掺杂层中，至少有两个第二导电类型掺杂层的Ⅲ族元素的组分不同；多个氧化层中，至少有两个氧化层的氧化深度不同。由此，有效调控了器件的发散角。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括依次层叠的衬底、第一导电类型反射层、有源层和第二导电类型反射层；其中， 所述有源层包括沿所述衬底厚度方向层叠的至少三个量子阱层以及位于相邻两个所述量子阱层之间的氧化层和隧穿结层，相邻两个所述量子阱层之间的所述氧化层和所述隧穿结层沿远离所述衬底方向依次层叠； 所述隧穿结层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第二导电类型掺杂层和第一导电类型掺杂层； 所述第一导电类型掺杂层的材料包括Ⅲ-Ⅴ族多元化合物，多个所述第一导电类型掺杂层中，至少有两个所述第一导电类型掺杂层的Ⅲ族元素的组分不同；和或，所述第二导电类型掺杂层的材料包括Ⅲ-Ⅴ族多元化合物，多个所述第二导电类型掺杂层中，至少有两个所述第二导电类型掺杂层的Ⅲ族元素的组分不同，以使多个所述隧穿结层中，至少有两个所述隧穿结层的势垒不同； 多个所述氧化层中，至少有两个所述氧化层的氧化深度不同。
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