哈尔滨工业大学周承隆获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于电致发光效应的仿生结构热光子主动制冷装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119412827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411597324.8，技术领域涉及：F25B21/02；该发明授权一种基于电致发光效应的仿生结构热光子主动制冷装置是由周承隆;贾欣宇;崔贵成;罗小平;张勇;易红亮设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电致发光效应的仿生结构热光子主动制冷装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于电致发光效应的仿生结构热光子主动制冷装置，具体属于固体制冷技术领域；利用半导体材料的负电压电致发光特性，通过负电压电致发光效应，抑制半导体材料的热光子能力，使热量能从低温的热光子发射端复合结构传递至高温的半导体材料，从而实现热流能从低温端到达高温端，实现制冷效果；通过在材料中施加电场，使其发生辐射光子能量发生改变，产生一定的热效应，从而实现制冷效果，使得其不涉及传统的制冷剂且能量传输路径简单，具有高效能源利用、绿色环保、微型化应用、快速响应和多领域应用等优点。本发明包括热光子发射端复合结构和半导体电池复合结构，还包括壳本体和电极组件。
本发明授权一种基于电致发光效应的仿生结构热光子主动制冷装置在权利要求书中公布了：1.一种基于电致发光效应的仿生结构热光子主动制冷装置，包括热光子发射端复合结构和半导体电池复合结构，其特征在于，还包括壳本体3和电极组件； 热光子发射端复合结构包括仿生超表面薄膜1和发射端基底2，仿生超表面薄膜1设置在发射端基底2顶面，半导体电池复合结构包括从上至下设置的P型碲镉汞层5、I型碲镉汞层6和N型碲镉汞层7； 电极组件包括背面电极4和前置电极8，半导体电池复合结构顶面设置有背面电极4，N型碲镉汞层7的外延部分顶面设置有前置电极8，背面电极4的外延部分底面设置有壳本体3，壳本体3另一端连接有发射端基底2的外延部分，热光子发射端复合结构和半导体电池复合结构之间通过壳本体3形成间隙。
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