深圳左文科技有限责任公司张青获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳左文科技有限责任公司申请的专利一种样品生长更均匀的CVD衬底组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223373300U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422743347.7，技术领域涉及：C30B25/00；该实用新型一种样品生长更均匀的CVD衬底组件是由张青设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种样品生长更均匀的CVD衬底组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种样品生长更均匀的CVD衬底组件，属于CVD法人工合成金刚石领域。包括底座、基台，所述底座上开设有定位槽，所述基台设置于所述定位槽内，所述定位槽的底壁开设有隔热槽，所述隔热槽的深度由底座的中部到边缘逐渐变大。定位槽能够对放置样品的基台进行定位，防止样品移位，隔热槽能够降低边缘的散热效果，缓冲等离子场的分布不均所带来的整体温度不均的情况，使得膜层整体温度分布更均匀，提升膜的质量与均匀性；同时，底座与基台采用分体式的设计，还能够方便基台的更换，方便用户根据不同的样品选择不同的生长基台，如：生长单晶体时，选择钼台承载籽晶，生长多晶体时，选择Si片上沉积金刚石多晶膜。
本实用新型一种样品生长更均匀的CVD衬底组件在权利要求书中公布了：1.一种样品生长更均匀的CVD衬底组件，其特征在于，包括底座以及用于承载或生长样品的基台，所述底座上开设有定位槽，所述基台设置于所述定位槽内，所述定位槽的底壁开设有隔热槽，所述隔热槽的深度由底座的中部到边缘逐渐变大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳左文科技有限责任公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙三路4号欧帝光学有限公司D栋厂房102；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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