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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119518414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411583910.7，技术领域涉及：H01S5/00；该发明授权一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用是由姚广峰;付文锋设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：在衬底上生长缓冲层材料，在激光器区、放大器区和调制器区上分别生长对应的有源材料后，覆盖第二介质掩膜，将二氧化硅材料覆盖在第二矩形介质掩膜和缓冲材料的表面，光刻形成光刻胶掩膜图形，利用氢氟酸腐蚀形成二氧化硅掩膜图形，生长无源波导材料，在激光器区的有源材料上覆盖光栅结构，生长包层材料和接触层材料，光刻胶掩膜图形对称设置于激光器区、放大器区和调制器区中轴线两侧，二氧化硅掩膜图形在激光器区和放大器区的宽度为Wa，在调制器区的宽度为Wm，Wm＞Wa。本发明减小光在不同区域之间的传输损耗且减小器件远场发散角。

本发明授权一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种单片集成激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底上生长缓冲层材料，在缓冲层材料的上方生长用于形成激光器及放大器的有源材料，在有源材料上设置激光器区和放大器区，在所述激光器区和放大器区的有源材料上覆盖第一矩形介质掩膜，然后选择性去除激光器区和放大器区以外的有源材料，再在激光器区和放大器区以外的区域对接生长调制器有源材料，最后去掉第一矩形介质掩膜； S2：在所述调制器有源材料上设置调制器区，随后在激光器区、放大器区和调制器区覆盖第二矩形介质掩膜，选择性去除激光器区、放大器区和调制器区以外的调制器有源材料，然后将二氧化硅材料覆盖在第二矩形介质掩膜和缓冲材料的表面，光刻形成光刻胶掩膜图形，利用氢氟酸腐蚀光刻胶掩膜图形以外区域的二氧化硅材料，形成二氧化硅掩膜图形； S3：在激光器区、放大器区和调制器区以外的区域对接生长无源波导材料后，去除第二介质掩膜，在激光器区的有源材料上覆盖光栅结构，最后依次生长包层材料和接触层材料； 其中，在步骤S2中，所述光刻胶掩膜图形对称设置于激光器区、放大器区和调制器区中轴线的两侧，所述二氧化硅掩膜图形在激光器区和放大器区的宽度为Wa，在调制器区的宽度为Wm，Wm＞Wa。

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