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龙图腾网获悉南方电网数字电网研究院股份有限公司申请的专利ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578798.8，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备是由王志明;樊灵孟;魏宇鹏;钟枚汕;卢星宇;赵继光;田兵;于力;赵亮;刘胜荣;关志华;聂少雄;池小佳;张鸣;何毅设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备，涉及日盲紫外光检测技术领域。采用本方法能够有效提高对光信号的利用率。该方法包括：使用分析纯酒精清洁CMOS芯片的感光面；对光锥的小平面进行切削，并在光锥耦合粘结时，在CMOS芯片的感光面像素区的边缘空余两行像素单元；使用分析纯酒精将光锥的表面进行清洗在光锥的小端面与CMOS芯片之间蒸镀ITO薄膜作为接地的导电层；在将CMOS芯片、光锥和像增强器进行对准后，将三者分别水平向分开，使用混胶比例3:1的环氧胶滴于感光面的表面，将CMOS芯片放在三维精密位移台后一边调节，一边在光锥的另一个平面观察，同时微微地按压光锥，使环氧胶在感光面内均匀涂覆且不产生气泡。

本发明授权ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备在权利要求书中公布了：1.一种ICMOS芯片的光锥耦合方法，其特征在于，包括如下步骤： 在开始对CMOS芯片和光锥进行耦合粘接之前，取下所述CMOS芯片表面的保护玻璃窗口，并使用分析纯酒精清洁所述CMOS芯片的感光面； 对所述光锥的小平面进行切削，并在所述光锥耦合粘结时，在所述CMOS芯片的感光面像素区的边缘空余两行像素单元； 使用分析纯酒精将所述光锥的表面进行清洗，风干不留痕后，在所述光锥的小端面与所述CMOS芯片之间蒸镀ITO薄膜作为接地的导电层；所述导电层用于将荧光屏与所述CMOS芯片隔开； 在将所述CMOS芯片、所述光锥和像增强器进行对准后，将三者分别水平向分开，使用混胶比例3:1的环氧胶滴于所述感光面的表面，将所述CMOS芯片放在三维精密位移台后一边调节，一边在所述光锥的另一个平面观察，同时微微地按压所述光锥，使所述环氧胶在所述感光面内均匀涂覆且不产生气泡。

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