买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种合金氧化物阻氚涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411574840.9，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种合金氧化物阻氚涂层及其制备方法是由钱旦;刘通宇;史静雯;胡镖;朱晓东;宋忠孝设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种合金氧化物阻氚涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于新材料技术领域，公开了一种合金氧化物阻氚涂层及其制备方法。所述制备方法为：对金属基材预处理后，采用磁控溅射技术溅射金属Cr靶，在金属基材表面沉积一层纯Cr打底层；采用磁控溅射技术，在双电源模式下，通过同时溅射Al靶和Cr靶，在纯Cr打底层表面依次沉积氧化过渡层和合金氧化物层，得到复合涂层；对复合涂层进行退火处理，得到具有含晶态氧化物的合金氧化物阻氚涂层。本发明的制备方法能够有效缓解涂层与基材之间的热失配问题，成功在金属基材表面形成与基材结合力强的合金氧化物阻氚涂层；本发明的制备方法工艺流程简单、全程无污染、沉积速度快，节约成本；且本发明制备的合金氧化物阻氚涂层阻氚阻氢性能佳。

本发明授权一种合金氧化物阻氚涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种合金氧化物阻氚涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 金属基材的预处理：对金属基材抛光清洗后进行辉光溅射清洗处理，得到清洁的金属基材； 沉积纯Cr打底层：在氩气气氛下，采用磁控溅射技术，通过溅射金属Cr靶，在清洁的金属基材表面沉积一层纯Cr打底层； 采用磁控溅射技术，依次沉积氧化过渡层和合金氧化物层：通入氩气与氧气，采用磁控溅射技术，在双电源模式下，通过同时溅射Al靶和Cr靶，并在开始溅射后的5min内将氧气通量逐渐提高至稳定流量，以在所述纯Cr打底层表面形成梯度分布的氧化过渡层；随后，保持该氩气与氧气的流量比继续同时溅射Al靶和Cr靶，在所述氧化过渡层表面沉积一层合金氧化物层，以在所述金属基材表面形成由内至外依次为纯Cr打底层、氧化过渡层和合金氧化物层的复合涂层； 退火处理：对所述复合涂层进行退火处理，以使所述复合涂层表面的氧化物由非晶态转变为晶态，得到具有含晶态氧化物的合金氧化物阻氚涂层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。