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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119475757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411569738.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法是由邹洪昌;杨硕;丁嘉绪;杨俊杰设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法，基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法的对象是干式套管，所述干式套管包括：端盖、内导电管、外导电管、环氧芯子、绝缘外套、法兰以及封堵件。所述基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法包括如下步骤：S1、将所述干式直流套管的模型导入物理场仿真软件中，将干式直流套管通入直流电压U，仿真得到仿真电场和仿真温度场；S2、人为对仿真电场和仿真温度场进行分析，得到高压电流、绝缘外套中各层绝缘结构材料和温度均与电场大小有关系高压电流大小。该基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法解决现有技术中只能仿真电场而不能预测各层绝缘结构的电场强度的问题。

本发明授权基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法在权利要求书中公布了：1.基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法，其特征在于，基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法的对象是干式套管，所述干式套管包括：端盖、内导电管、外导电管、环氧芯子、绝缘外套、法兰以及封堵件，内导电管内开设有中心孔，中心孔内有空气，内导电管一段被外导电管环绕，在外导电管外环绕有环氧芯子，环氧芯子外环绕有绝缘外套，绝缘外套端部被端盖封堵，端盖仅供内导电管远离外导电管的端部穿过，端盖内壁、绝缘外套内壁、内导电管外壁以及环氧芯子端面之间围绕形成SF6充气空间，环氧芯子外环绕有法兰，法兰位于绝缘外套远离端盖的一端，环氧芯子、内导电管以及外导向管远离端盖的端部被封堵件封堵； 所述基于电压和温度影响下的干式套管电场计算方法包括如下步骤： S1、将干式直流套管的模型导入物理场仿真软件中，将干式直流套管通入直流电压U，仿真得到仿真电场和仿真温度场； S2、人为对仿真电场和仿真温度场进行分析，得到高压电流、绝缘外套中各层绝缘结构材料和温度均与电场大小有关系高压电流大小； S3、干式直流套管中绝缘外套有若干层绝缘结构，设定干式直流套管管由m层绝缘结构组成，则在直流电压U的作用下，半径为rn处的第n层圆柱体的绝缘结构的最大场强En,max由以下公式计算： 上式中，εn为第n层的介电常数，rn为第n层绝缘结构半径，εi为第i层绝缘结构介电常数，εi为第i层绝缘结构介电常数； S4、干式直流套管中第i层绝缘结构的径向热阻Ri由下式计算： 上式中，β为材料的热阻率，β单位为K·mW；ri,x为干式直流套管中第i层绝缘结构的壁外半径，ri,y为干式直流套管中第i层绝缘结构的壁内半径，ri,x和ri,y的单位为m；L为干式直流套管中第i层绝缘结构的壁厚度，L的单位为m； S4、设干式直流套管中绝缘外套总厚度为L1，则计算干式直流套管中第i层绝缘结构外壁处的热流量Qi，Qi的计算公式为： 上式中，T0为内导电管外壁处温度；Ti为干式直流套管中第i层绝缘结构外壁处的温度，i＝1,2,……,m； S5、实验数据获得，获得步骤如下：将所述干式直流套管的模型导入物理场仿真软件中，将干式直流套管通入直流电压U，且直流电压U有若干个不同值，仿真得到若干组仿真电场强度E和仿真温度场T，仿真电场强度E含有E0、Ei、……、Em，Ei表示干式直流套管中第i层绝缘结构的电场强度，仿真温度场T内含有T0、Ti、……、Tm； S6、所有Qi组成热流量组Q，建立E、U、T以及Q的关系模型，通过关系模型计算E。

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