泰科天润半导体科技(北京)有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种准超结平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223379520U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422682380.3，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种准超结平面栅碳化硅VDMOS是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤;张长沙设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种准超结平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种准超结平面栅碳化硅VDMOS，漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层下部设有多个N型体区；漂移层上部设有多个P型扩散区，每个N型体区下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层上设有凸起部，凸起部内设有均流层；P型阱区下侧面连接至漂移层上侧面以及P型扩散区上侧面，P型阱区内侧面连接至凸起部外侧面；P型阱区内设有N型源区；栅介质层分别连接P型阱区、漂移层以及均流层；栅极金属层连接至栅介质层；源极金属层分别连接P型阱区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，在器件内部构建了准超结结构以及均流层，可以有效提高器件的耐压能力、栅极可靠性和导通能力。
本实用新型一种准超结平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种准超结平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层下部设有多个N型体区；所述漂移层上部设有多个P型扩散区，每个所述N型体区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有凸起部，所述凸起部内设有均流层； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面以及P型扩散区上侧面，所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述P型阱区内设有N型源区； 栅介质层，所述栅介质层分别连接所述P型阱区、漂移层以及均流层； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型阱区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面。
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