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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种基于薄膜铌酸锂的大带宽低插损马赫曾德尔调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411541939.9，技术领域涉及：G02F1/21；该发明授权一种基于薄膜铌酸锂的大带宽低插损马赫曾德尔调制器是由李少波;张磊设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜铌酸锂的大带宽低插损马赫曾德尔调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效率超宽带低插损马赫曾德尔调制器，属于微波光子、光电调制器、高效光电转换等领域。本发明包括SiO2衬底，SiO2衬底上设置有双平行马赫曾德尔调制器，双平行马赫曾德尔调制器的两端各有一个模斑转换器。本发明基于铌酸锂薄膜调制器工艺技术，优化了模斑转换波导结构，可实现低插损，并通过双平行调制器提高了调制带宽。本发明可有效提高微波光子链路的线性度、工作带宽，满足各个领域宽带卫星通信、高频射频前端的广泛应用需求。

本发明授权一种基于薄膜铌酸锂的大带宽低插损马赫曾德尔调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜铌酸锂的大带宽低插损马赫曾德尔调制器，包括SiO2衬底，其特征在于，SiO2衬底上设置有双平行马赫曾德尔调制器，双平行马赫曾德尔调制器的两端各有一个模斑转换器；所述模斑转换器为双锥型结构，包括底层倒锥形波导和顶层倒锥形波导，底层倒锥形波导包括底层矩形段和底层锥形段，底层锥形段的宽度小于底层矩形段的宽度，底层锥形段的末端延伸出一段直波导，顶层倒锥形波导包括顶层矩形段和顶层锥形段，顶层矩形段的宽度小于底层锥形段的宽度，顶层矩形段的长度等于底层矩形段的长度，顶层锥形段的宽度等于顶层矩形段的宽度，顶层锥形段的末端为平头，顶层锥形段的末端位于底层锥形段的15长度至35长度处； 双平行马赫曾德尔调制器包括波导网络和5个高频电极，相邻两高频电极之间具有一缝隙，波导网络的两端各有一条直波导，波导网络一端的直波导通过两级一分二结构分为第一波导、第二波导、第三波导、第四波导共四条波导，所述四条波导分别穿过四条缝隙，然后再通过两级二合一结构形成波导网络另一端的直波导，其中，第一波导和第二波导合路为第五波导，第三波导和第四波导合路为第六波导，第一波导、第三波导、第五波导处均设有一个直流电极； 双平行马赫曾德尔调制器两端的模斑转换器镜面对称，双平行马赫曾德尔调制器每端的直波导均与本端模斑转换器的底层矩形段和顶层矩形段连接，双平行马赫曾德尔调制器的直波导的宽度与模斑转换器的底层矩形段的宽度相等，双平行马赫曾德尔调制器的直波导的高度与模斑转换器的双锥型结构的高度相等。

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