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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534464.0，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法是由李赛磊;任慧雪;伍绍腾;骆军委设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法，包括：获取III族氮化物半导体片和第一衬底，所述III族氮化物半导体片的一侧设置有第二衬底；对所述III族氮化物半导体片进行分割，以将所述III族氮化物半导体片划分为多个III族氮化物半导体片微区，得到分割后的III族氮化物半导体层；对所述分割后的III族氮化物半导体层与所述第一衬底进行键合，得到待处理III族氮化物半导体键合片；去除所述待处理III族氮化物半导体键合片中的所述第二衬底，得到III族氮化物半导体键合片。本公开对III族氮化物半导体片进行分割再键合，降低了III族氮化物半导体键合片中的随机裂纹，提高了III族氮化物半导体键合片的性能。

本发明授权降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低III族氮化物半导体键合片中随机裂纹的方法，其特征在于，包括： 获取III族氮化物半导体片和第一衬底，所述III族氮化物半导体片的一侧设置有第二衬底； 对所述III族氮化物半导体片进行分割，以将所述III族氮化物半导体片划分为多个III族氮化物半导体片微区，得到分割后的III族氮化物半导体层； 对所述分割后的III族氮化物半导体层与所述第一衬底进行键合，得到待处理III族氮化物半导体键合片； 去除所述待处理III族氮化物半导体键合片中的所述第二衬底，得到III族氮化物半导体键合片； 其中，所述对所述III族氮化物半导体片进行分割包括： 在所述III族氮化物半导体片远离所述第二衬底的一侧开设沿第一方向贯穿所述III族氮化物半导体片的多条凹槽，得到所述分割后的III族氮化物半导体层，所述第一方向为所述第二衬底与所述III族氮化物半导体片的叠加方向； 所述凹槽沿第二方向、第三方向和第四方向中的至少一个延伸，所述凹槽的延伸方向与所述III族氮化物半导体片的晶向大致平行，所述大致平行是指二者之间的夹角小于等于5°。

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