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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411514509.8，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体器件的形成方法是由严强生;崔燕雯设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在外围区的衬底内形成高于浮栅层的表面的浅沟槽隔离结构；刻蚀部分宽度的浅沟槽隔离结构，使得位于浮栅层上方部分的浅沟槽隔离结构的高度达标且宽度变小，从而使得浅沟槽隔离结构的侧面出现台阶；在浮栅层的表面形成栅介质层，栅介质层同时覆盖浅沟槽隔离结构的台阶处；在存储区域的栅介质层的表面形成控制栅层以及穿过控制栅层、浮栅层的字线；在存储区域的栅介质层的表面形成第一控制栅侧墙，在外围区域的栅介质层的表面形成覆盖浅沟槽隔离结构的侧壁的第二控制栅侧墙，第二控制栅侧墙位于浅沟槽隔离结构的台阶处；去除未被覆盖的部分栅介质层、浮栅层和衬垫氧化层，露出部分衬底的表面。

本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，将所述衬底分为相邻的存储区域和外围区域； 在所述衬底的表面依次形成衬垫氧化层和浮栅层； 在外围区的衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述浮栅层的表面； 刻蚀部分高度的浅沟槽隔离结构和部分宽度的浅沟槽隔离结构，使得位于所述浮栅层上方部分的所述浅沟槽隔离结构的高度达标且宽度变小，从而使得所述浅沟槽隔离结构的侧面出现台阶； 在所述浮栅层的表面形成栅介质层，所述栅介质层同时覆盖所述浅沟槽隔离结构的台阶处； 在存储区域的所述栅介质层的表面形成控制栅层以及穿过所述控制栅层和浮栅层的字线，所述控制栅层的表面还形成有第一侧墙，所述字线通过第二侧墙和所述控制栅层和浮栅层隔开； 在存储区域的所述栅介质层的表面形成第一控制栅侧墙，所述第一控制栅侧墙覆盖所述第一侧墙和控制栅层的侧壁，同时，在外围区域的所述栅介质层的表面形成第二控制栅侧墙，所述第二控制栅侧墙覆盖所述浅沟槽隔离结构的侧壁，所述第二控制栅侧墙位于所述浅沟槽隔离结构的台阶处； 去除未被覆盖的部分栅介质层、浮栅层和衬垫氧化层，露出部分所述衬底的表面。

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