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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种改善TOPCON电池爆膜的PECVD工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411516540.5，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权一种改善TOPCON电池爆膜的PECVD工艺是由程平设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善TOPCON电池爆膜的PECVD工艺在说明书摘要公布了：本发明具体公开了一种改善TOPCON电池爆膜的PECVD工艺，包括以下步骤：1将插满硅片的石墨舟置于炉管中；2向炉管进行充氮气保护；3进行分步式升温及恒温氢钝化处理；4炉管内抽真空；5向炉管内通入NH3和N2O进行电离；6进行氮化硅沉积；7进行抽空与充氮回大气压处理；8将石墨舟运输出炉管外。本发明有效降低了TOPCon电池在制备过程中的爆膜比例，并提高了电池的效率；特别是通过分步式升温和在氮化硅膜层前增加笑气和氨气电离，在膜层内部形成N‑H键，从而达到降低氢溢出从而改善爆膜，达到了更好的氢钝化效果。

本发明授权一种改善TOPCON电池爆膜的PECVD工艺在权利要求书中公布了：1.一种改善TOPCON电池爆膜的PECVD工艺，其特征在于，包括以下步骤： （1）进炉管：将插满硅片的石墨舟置于炉管中； （2）充氮保护：向炉管内充入氮气； （3）分步式升温：炉管分阶段升温，每阶段达温后恒温处理，再升至下一阶段温度； （4）抽真空：炉管内抽真空； （5）改善爆膜处理：向炉管内通入NH3和N2O进行电离； （6）氮化硅沉积：进行多次氮化硅沉积步骤； （7）抽空与充氮回大气压：将炉管内多余的反应残留气体排空，并充氮回大气压； （8）出炉管：将石墨舟运输出炉管外； 其中，所述步骤（3）中，分步式升温工艺，具体包括以下几个步骤： ①第一次升温至430±50℃，升温时间为2±0.2min，压力设置为10000±100mtorr，氮气流量为2000±50sccm，恒温3±0.2min进行氢钝化； ②第二次升温至460±50℃，升温时间为2±0.2min，压力设置为10000±100mtorr，氮气流量为2000±50sccm，恒温3±0.2min进行氢钝化； ③第三次升温至500±50℃，升温时间为3±0.2min，压力设置为10000±100mtorr，氮气流量为2000±50sccm，恒温3±0.2min进行氢钝化； 所述步骤（5）中，按1:1比例通入NH3和N2O，气体流量为6000±500sccm，射频功率为12000±1000W，压力为1500±50mtor，工艺时间为1.5±0.2min。

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