成都高真科技有限公司崔栽荣获国家专利权
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龙图腾网获悉成都高真科技有限公司申请的专利套刻精度量测标记及其使用方法与器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411460262.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权套刻精度量测标记及其使用方法与器件是由崔栽荣;金在植;徐允德设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻精度量测标记及其使用方法与器件在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件技术领域，具体公开了一种套刻精度量测标记及其使用方法与器件。该套刻精度量测标记在芯片边缘区域采用DBO标记及IBO标记方式，有利于减少套刻精度量测标记中使用的ScribeLine面积，并且提高ScribeLine区域内进行套刻精度量测的准确度。
本发明授权套刻精度量测标记及其使用方法与器件在权利要求书中公布了：1.一种套刻精度量测标记，其特征在于：包括： 基底、第一层图像标记与第二层图像标记； 所述第一层图像标记位于所述基底任一侧表面；所述第一层图像标记包括第一中心图像与环绕所述第一中心图像外围的第一外侧图像； 所述第二层图像标记位于所述第一层图像标记上背离所述基底的一侧表面，所述第二层图像标记包括第二中心图像与环绕所述第二中心图像外围的第二外侧图像； 所述第一中心图像在所述基底上的正投影与所述第二中心图像在所述基底上的正投影重叠； 所述第一外侧图像在所述基底上的正投影与所述第二外侧图像在所述基底上的正投影不重叠； 且所述第一外侧图像在所述基底上的正投影远离所述第一中心图像在所述基底上的正投影；所述第二外侧图像在所述基底上的正投影靠近所述第一中心图像在所述基底上的正投影； 所述第一中心图像和或所述第二中心图像为利用光学衍射原理得到的图像； 所述第一外侧图像和或所述第二外侧图像为基于图像的套刻测量得到的图像。
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