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龙图腾网获悉宇泉半导体(保定)有限公司申请的专利一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223378169U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422523506.2，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块是由张崇;王志超;柏治国;赵冬;夏良兵;王新哲;夏爽;刘雪川设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率模块技术领域，尤其涉及一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块。其技术方案包括外壳，所述外壳内固定有基板，所述基板的底部焊接有散热器，所述基板的顶部分别安装有信号端子、功率端子和开关元件，所述基板为两块，两块基板电性连接，所述基板由依次连接的正面导电金属铜层、中间陶瓷绝缘层和背面金属铜层组成，正面导电金属铜层连接有键合线和芯片，键合线的一端与芯片连接，所述中间陶瓷绝缘层为氧化铝板、氮化硅板和氮化铝板中的任一种，所述外壳的顶部固定连接有绝缘盖板。本实用新型通过对基板进行优化布局和门极电阻调整连接方式，使其降低寄生电感和热阻，提高开关速率、功率输出能力及模块可靠性。

本实用新型一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块在权利要求书中公布了：1.一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块，包括外壳（1），其特征在于，所述外壳（1）内固定有基板（3），所述基板（3）的底部焊接有散热器（2），所述基板的顶部分别安装有信号端子（4）、功率端子（5）和开关元件（8），所述开关元件（8）分别电性连接有焊接于基板（3）上的门极电阻（9）和热敏电阻NTC（10），基板（3）的正面导电金属铜层（301）包括电流输入区一（3011）和电流输入区二（3013），电流输入区一（3011）和电流输入区二（3013）之间设置有电流输出区（3012），所述导电金属铜层（301）的底部设置有交流输出区（3014）；电流输出区（3012）的下方依次设置有开尔文源极区一（3015）和门极区一（3016）；所述有交流输出区（3014）的上方设置开尔文源极区二（3017）和门极区二（3018），电流输入区二（3013）的一侧设置有热敏电阻区（3019）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宇泉半导体(保定)有限公司，其通讯地址为：071000 河北省保定市高开区励行街666号大学科技园科创分园B6-203；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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