浙江创芯集成电路有限公司张一鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411449915.0，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张一鸣;陶然设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成具有第一掺杂类型的第一外延层；在第一外延层内形成若干对超结结构，所述超结结构包括具有第二掺杂类型的第一柱和具有第一掺杂类型的第二柱，第一柱和第二柱沿水平方向交替连接设置；在第一外延层上形成具有第一掺杂类型的第二外延层；在第二外延层内形成具有第一掺杂类型的注入区，注入区的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度；在第二外延层内形成具有第二掺杂类型的基区；在基区内形成具有第一掺杂类型的发射区；在远离基区的第二外延层内形成具有第一掺杂类型的集电极，集电极的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度，注入区在水平方向上位于基区和集电极之间。本发明实施例提供的形成方法，可以在提高半导体结构的击穿电压的同时实现半导体结构的高增益。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成具有第一掺杂类型的第一外延层； 在所述第一外延层内形成若干对超结结构，所述超结结构包括具有第二掺杂类型的第一柱和具有第一掺杂类型的第二柱，所述第一柱和所述第二柱沿水平方向交替连接设置； 在所述第一外延层上形成具有第一掺杂类型的第二外延层； 在所述第二外延层内形成具有第一掺杂类型的注入区，所述注入区的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度； 在所述第二外延层内形成具有第二掺杂类型的基区； 在所述基区内形成具有第一掺杂类型的发射区； 在远离所述基区的所述第二外延层内形成具有第一掺杂类型的集电极，所述集电极的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度，所述注入区在水平方向上位于所述基区和所述集电极之间。
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