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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411456806.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张一鸣;陶然设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：形成衬底结构，衬底结构包括漏掺杂区和位于漏掺杂区上的漂移区，衬底结构包括相邻的第一区和第二区，第一区和第二区沿平行于第一面或第二面的方向排布；在第一区的漂移区内形成第一体区，第一体区自第一面向第二面方向延伸，第一体区的导电类型和漂移区的导电类型不同；在第二区的漂移区内形成若干柱状区，各柱状区自第一面向第二面方向延伸，若干柱状区的导电类型与漂移区的导电类型不同；在第一面上形成第一栅极结构，部分第一栅极结构位于第一区上，且另一部分第一栅极结构还位于第二区上；在第一栅极结构一侧的第一体区内形成第一源掺杂区，利于提高形成的器件的击穿电压，降低器件的导通阻抗。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底结构，所述衬底结构包括漏掺杂区和位于所述漏掺杂区上的漂移区，所述衬底结构具有相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述漂移区表面，所述第二面暴露出所述漏掺杂区表面，所述漂移区和所述漏掺杂区的导电类型相同，且所述漂移区的掺杂浓度低于所述漏掺杂区的掺杂浓度，所述衬底结构包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和所述第二区沿平行于所述第一面或所述第二面的方向排布； 位于所述第一区的所述漂移区内的第一体区，所述第一体区自所述第一面向所述第二面方向延伸，所述第一体区的导电类型和所述漂移区的导电类型不同； 位于所述第二区的所述漂移区内的若干柱状区，若干所述柱状区自所述第一面向所述第二面方向延伸，若干所述柱状区的导电类型与所述漂移区的导电类型不同，且若干所述柱状区未设置在所述第一体区和所述漏掺杂区之间； 位于所述第一面上的第一栅极结构，部分所述第一栅极结构位于所述第一区上，且另一部分所述第一栅极结构还位于所述第二区上； 位于所述第一栅极结构一侧的所述第一体区内的第一源掺杂区。

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