浙江创芯集成电路有限公司张一鸣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、反相器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411456780.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法、反相器电路是由张一鸣;陶然设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、反相器电路在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法、反相器电路，其中方法包括：形成漏掺杂层，漏掺杂层包括第一漏掺杂区、隔离结构和第二漏掺杂区，隔离结构位于第一漏掺杂区和第二漏掺杂区之间，第一漏掺杂区和第二漏掺杂区的导电类型不同；在第一漏掺杂区上形成第一体区，在第一体区表面形成第一源掺杂区；在第二漏掺杂区上形成第二体区，在第二体区表面形成第二源掺杂区；在漏掺杂层表面，且在第一体区和第二体区之间、第一源掺杂区和第二源掺杂区之间形成第一凹槽；在第一凹槽内形成栅极结构，栅极结构包括栅极层，栅极层位于第一体区和第二体区之间，利于降低CMOS器件的导通电阻和功率损耗。
本发明授权半导体结构及其形成方法、反相器电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 漏掺杂层，所述漏掺杂层包括第一漏掺杂区、隔离结构和第二漏掺杂区，所述隔离结构位于所述第一漏掺杂区和所述第二漏掺杂区之间，所述第一漏掺杂区和所述第二漏掺杂区的导电类型不同； 位于所述第一漏掺杂区上的第一体区、以及所述第一体区表面的第一源掺杂区； 位于所述第二漏掺杂区上的第二体区、以及所述第二体区表面的第二源掺杂区； 位于所述漏掺杂层表面，且在所述第一体区和所述第二体区之间、所述第一源掺杂区和所述第二源掺杂区之间的第一凹槽； 位于所述第一凹槽内的栅极结构，所述栅极结构包括栅极层，所述栅极层位于所述第一体区和所述第二体区之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励