西安工业大学张进获国家专利权
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龙图腾网获悉西安工业大学申请的专利一种磁透镜约束聚焦反应离子束源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119275077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411382201.2,技术领域涉及:H01J37/141;该发明授权一种磁透镜约束聚焦反应离子束源是由张进;吴嘉俊;刘卫国;惠迎雪;秦文罡;梁海锋;栗旭阳;蔡长龙设计研发完成,并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁透镜约束聚焦反应离子束源在说明书摘要公布了:本发明属于等离子体技术领域,具体涉及一种磁透镜约束聚焦反应离子束源.本发明能获得离子能量呈正太分布的聚焦离子束,并引入反应气体,实现光学元件表面损伤层的快速去除。本发明采用的技术方案包括阳极,设置于阳极上方的外阴极和设置于离子源中间的中心阴极,所述的阳极、外阴极和中心阴极为异形圆环,外阴极和中心阴极之间设置有离子束引出间隙,阳极和外阴极、中心阴极之间设置有电离区,阳极外侧设置有电离磁线圈,中心阴极下方设置有工作气体导入装置,中心阴极上方设置有磁透镜中心磁极,所述磁透镜中心磁极中间设置有反应气体导出孔,反应气体由导气管经中心阴极导入磁透镜中心磁极,磁透镜中心磁极外周设置有磁透镜线圈,磁透镜线圈上方设置有磁透镜外磁极。
本发明授权一种磁透镜约束聚焦反应离子束源在权利要求书中公布了:1.一种磁透镜约束聚焦反应离子束源,包括设置于底板上的筒状外壳、筒状外壳内设置有阳极(1)、外阴极(2)和中心阴极(3),筒状外壳内的底板中心设置有工作气体导入装置(8),中心阴极(3)设置于工作气体导入装置(8)上,外阴极(2)的向下倾斜的内环与中心阴极(3)向上倾斜的内环相对设置之间的间隙为离子束引出间隙;其特征在于:所述的阳极(1)和外阴极(2)、中心阴极(3)之间设置有电离区,筒状外壳的内侧壁上设置有电离磁线圈(7),中心阴极(3)上方设置有磁透镜中心磁极(4),所述的磁透镜中心磁极(4)中间设置有反应气体导出孔,反应气体由导气管(9)经中心阴极(3)导入磁透镜中心磁极(4),再由磁透镜中心磁极(4)中设置的导出孔导出,外阴极(2)的上部从下到上依次设置有磁透镜线圈(6)和磁透镜外磁极(5)。
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