广州增芯科技有限公司杨林荣获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利半导体检测结构、半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119275213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411389986.6,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权半导体检测结构、半导体器件的制备方法及半导体器件是由杨林荣设计研发完成,并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体检测结构、半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了:本发明的半导体检测结构、半导体器件的制备方法及半导体器件,半导体检测结构设置于晶圆的切割道内,该结构包括:基准单元及至少四组检测模块,且每个检测模块的偏移距离均不同。并设置每个检测模块中检测单元内的多晶硅子单元以基准单元中的多晶硅子单元为基准,按照对应偏移距离朝着不同方向进行偏移。后续通过对检测单元内的多晶硅子单元入射电子束,以检测出呈第一状态且偏移距离最大的多晶硅子单元,并将该多晶硅子单元相对于对应有源区子单元的偏移参数作为后续制作共享接触孔的工艺窗口。通过本发明提供半导体检测结构,能避免绝缘层的影响,对共享接触孔的工艺窗口进行高精度的检测,并提前判断是否能够制作共享接触孔,以避免资源浪费。
本发明授权半导体检测结构、半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体检测结构,所述半导体检测结构设置于晶圆的切割道内,其特征在于,该半导体检测结构包括: 基准单元A1以及第一检测模块至第N检测模块,每个所述检测模块中均包括第一检测单元至第n检测单元,所述基准单元A1和每个所述检测单元均分别包括有源区子单元和多晶硅子单元,所述多晶硅子单元垂直设置在所述有源区子单元上方,且所述多晶硅子单元一端与所述有源区子单元一端物理接触;其中,N,n均为正整数,且N,n≥4; 以所述基准单元中的所述多晶硅子单元为原点,每个所述检测模块中的所述检测单元中的所述多晶硅子单元相较于对应的所述有源区子单元,分别朝不同象限偏移第一距离;且不同的所述检测模块中,所述第一距离与所述原点的距离相同,同一检测模块中的不同所述检测单元的所述第一距离与所述原点距离均不相同; 每个所述多晶硅子单元均分别包括两个相对平行且均沿第一方向设置的第一多晶硅结构和第二多晶硅结构; 每个所述有源区子单元均分别包括两个相对平行且均沿第二方向设置的第一有源区结构和第二有源区结构; 所述第一多晶硅结构的第二端物理连接所述第一有源区结构的第一端,所述第二多晶硅结构的第一端物理连接所述第二有源区结构的第二端; 所述第一方向和所述第二方向互相垂直。
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