买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种Pocket掺杂的4H-SiC基雪崩光电二极管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411386223.6，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种Pocket掺杂的4H-SiC基雪崩光电二极管器件是由雷前进;楼海君;朱林利设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Pocket掺杂的4H-SiC基雪崩光电二极管器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Pocket掺杂的4H‑SiC基雪崩光电二极管器件，包括：衬底层、倍增层、钝化层、PAD层、金属电极区和光敏窗口区。通过在4H‑SiC雪崩光电二极管的倍增层中引入Pocket高掺杂区域，优化了倍增层凸台面边缘处电场分布情况，降低了台面击穿概率，增大了倍增区可用载流子浓度，在保持较低暗电流的同时增大了光电流，使器件的阈值电压升高，电流增益和信噪比增大，表现出良好的光电放大性能。

本发明授权一种Pocket掺杂的4H-SiC基雪崩光电二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种Pocket掺杂的4H-SiC基雪崩光电二极管器件，其特征在于，包括：衬底层、倍增层、钝化层、PAD层、金属电极区和光敏窗口区； 所述衬底层呈圆柱体，位于Pocket掺杂的4H-SiC基雪崩光电二极管器件的最底层； 所述倍增层呈凸圆台体，与所述衬底层共中心轴，并沿第一方向接触，所述第一方向为衬底层的中心轴线向上； 所述倍增层沿第一方向分五个倍增区，分别记为第一倍增区、第二倍增区、第三倍增区、第四倍增区和第五倍增区，五个倍增区沿第一方向共中心轴并依次接触；所述第一倍增区呈凸圆台体，所述第二倍增区、第三倍增区、第四倍增区和第五倍增区呈圆台体；第一倍增区的圆台部分、第二倍增区、第三倍增区、第四倍增区和第五倍增区的倾斜角度保持一致； 所述第三倍增区的掺杂浓度高于第二倍增区和第四倍增区，且第二倍增区、第三倍增区和第四倍增区采用Pocket掺杂； 所述衬底层与第一倍增区、第二倍增区、第三倍增区、第四倍增区和第五倍增区之间的接触面均为外法线沿第一方向的圆形面； 所述钝化层呈空心圆台壳体，与所述倍增层共中心轴并与其上表面接触，覆盖在所述倍增层外表面上，接触面为扇形曲面，与所述倍增层的圆台的倾斜角度相同； 所述PAD层呈空心圆台壳体，与所述钝化层共中心轴并与其上表面接触，覆盖在所述钝化层外表面上，接触面为扇形曲面，与所述钝化层的圆台的倾斜角度相同； 所述光敏窗口区呈圆环状，位于所述第五倍增区的上表面区域； 所述金属电极区包括阳极区和阴极区，其中，阳极区呈圆柱环体，与所述第一倍增区沿第一方向接触，覆盖在所述第一倍增区的凸圆台的上表面台面上，接触面为圆环形；阴极区呈圆柱体，与所述光敏窗口区共中心轴并沿第一方向接触，覆盖在所述光敏窗口区上，接触面为圆形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。