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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411374124.6，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由赵斌;张靖榕;杨克伟;王振礼;曲晓东;罗桂兰;陈凯轩设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括导电衬底、键合层、外延结构、第一电极焊盘和第二电极焊盘。外延结构设有朝向导电衬底的第一表面和开口于第一表面的切割槽和导通槽；切割槽沿第一方向延伸并至少贯穿第二型半导体层，导通槽暴露第二型半导体层的部分表面；第一方向垂直于导电衬底并由导电衬底指向外延结构。键合层键合连接导电衬底和外延结构，所述键合层嵌入切割槽和导通槽内的部分与外延结构绝缘设置。在外延结构上设置切割槽和导通槽两个槽，使得键合层两边都嵌入槽内，减小键合层两边的高度差，减小键合空洞率，增加芯片的可靠性。

本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括：导电衬底、键合层、外延结构、第一电极焊盘和第二电极焊盘； 所述外延结构至少包括沿第一方向依次设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述导电衬底并由所述导电衬底指向所述外延结构；所述外延结构设有朝向所述导电衬底的第一表面和开口于所述第一表面的切割槽和导通槽；所述切割槽沿第一方向延伸并至少贯穿所述第二型半导体层，所述导通槽暴露所述第二型半导体层的部分表面； 所述外延结构还包括层叠于所述第一型半导体层的第二电流扩展电极，所述第二电流扩展电极与所述第一型半导体层、有源层和键合层绝缘设置并与所述导通槽暴露的所述第二型半导体层的部分表面电连接； 所述键合层键合连接所述导电衬底和所述外延结构，所述键合层嵌入所述切割槽和所述导通槽内的部分与所述外延结构绝缘设置； 所述第一电极焊盘设于所述导电衬底背离所述外延结构的一侧，并通过所述导电衬底和键合层与所述第一型半导体层电连接，所述第二电极焊盘设于所述外延结构背离所述导电衬底的一侧，并与所述第二电流扩展电极电连接；所述切割槽和导通槽开口尺寸沿第一方向减小，并形成沿所述第一方向布设的至少一个朝向所述导电衬底的第一台阶面，所述第一台阶面使得所述键合层正对所述切割槽和导通槽的槽底的表面面积减小。

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