上海华虹宏力半导体制造有限公司朱景润获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119255607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411382720.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存的制备方法是由朱景润;刘宪周设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存及其制备方法，包括：提供衬底；形成硬掩膜层，硬掩膜层至少覆盖隔离层的侧壁表面；形成的第一侧墙位于硬掩膜层的侧壁表面；形成位于每个字线两侧的堆叠的浮栅和控制栅；形成的第二侧墙氧化层至少覆盖浮栅和控制栅的侧表面并向上延伸覆盖第一侧墙侧表面；形成的第二侧墙氮化层覆盖第二侧墙氧化层侧表面。本发明形成浮栅和控制栅的步骤，设置在形成第一侧墙之后以及形成第二侧墙氧化层之前，控制栅和隔离层的交界处由于有硬掩膜层和第一侧墙的保护，在该交界处不再形成台阶，第一侧墙不用再形成在台阶上，因此第一侧墙不再断开，闪存元胞外侧侧墙尺寸减小，同时侧墙减薄使层间介质层的深宽比降低，填充窗口增大。
本发明授权闪存的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有浮栅材料层、控制栅材料层以及若干贯穿所述控制栅材料层和所述浮栅材料层的字线；每个所述字线上方形成有隔离层，所述隔离层覆盖所述字线和所述字线两侧邻近区域的所述控制栅材料层； 形成硬掩膜层，所述硬掩膜层至少覆盖所述隔离层垂直于所述控制栅材料层的侧壁表面； 形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述硬掩膜层的侧壁表面； 刻蚀所述隔离层暴露出的所述控制栅材料层和所述浮栅材料层，形成位于每个所述字线两侧的堆叠的浮栅和控制栅； 形成第二侧墙氧化层，所述第二侧墙氧化层至少覆盖所述浮栅和所述控制栅的侧表面并向上延伸覆盖所述第一侧墙侧表面； 形成第二侧墙氮化层，所述第二侧墙氮化层覆盖所述第二侧墙氧化层侧表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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