江苏宏微科技股份有限公司张景超获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏宏微科技股份有限公司申请的专利一种SiC功率MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223379519U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422343705.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种SiC功率MOSFET器件是由张景超;戚丽娜;周昕;朱宁;崔崧;郑海峰;赵善麒设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC功率MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种SiC功率MOSFET器件，器件的元胞结构由下至上依次包括：衬底、N‑外延层、多晶硅栅层、隔离层、金属层；在N‑外延层的表面内设置有左右对称的两个Pwell层；设置在Pwell层上的N+层、以及设置在N+层上的P+层；N‑外延层的表面内具有截面A和截面B的交替结构；截面A的结构：两个pwell层相对的一侧边界均呈向内部弯曲的弧形、以及与弧形相接的平直底边边界；截面B的结构：两个pwell层的边界均呈向内部弯曲的弧形；元胞结构的两侧具有沟槽结构。本实用新型具有双重截面交替结构，能够缩短空穴电流经过源区下方的路径，提高器件的抗动态闩锁能力。
本实用新型一种SiC功率MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种SiC功率MOSFET器件，其特征在于，器件的元胞结构由下至上依次包括：N++型SiC衬底1、N-外延层2、多晶硅栅层6、隔离层7、金属层8； 在所述N-外延层2的表面内设置有左右对称的两个Pwell层3，两个Pwell层3之间形成JFET区域；设置在所述Pwell层3上的N+层4、以及设置在所述N+层4上的P+层5； 所述N-外延层2的表面内具有截面A和截面B的交替结构； 所述截面A的结构：所述JFET区域的截面呈上窄下宽的梯形，且两个所述Pwell层3相对的一侧边界均呈向内部弯曲的弧形、以及与弧形相接的平直底边边界； 所述截面B的结构：两个所述Pwell层3的边界均呈向内部弯曲的弧形； 所述元胞结构的两侧具有沟槽结构9。
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