拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司龙占勇获国家专利权
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龙图腾网获悉拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司申请的专利半导体工艺设备的排气系统及气路系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119196543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411328652.8,技术领域涉及:F17D1/04;该发明授权半导体工艺设备的排气系统及气路系统是由龙占勇;周亮;金文凯;李燕清;王勤勤;林佳继设计研发完成,并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备的排气系统及气路系统在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体工艺设备的排气系统及气路系统,半导体工艺设备的排气系统包括排气主路、排气支路、抽气组件、控压阀、第一截止组件、第一连接支路、第二连接支路、压力检测组件和控制器。反应腔室、排气主路和抽气组件依次连接。第一连接支路、第二连接支路和排气支路依次连接,其首尾两端分别与排气主路连接。压力检测组件与第二连接支路连接,第一截止组件设于排气支路上,控压阀设于排气主路上。本申请的半导体工艺设备的排气系统,通过控制器根据压力检测组件检测的数值控制第一截止组件和控压阀先后开启,从而使抽气组件以先慢后快的方式对反应腔室进行抽气,从而减少因晶片震动而产生的颗粒粉尘。
本发明授权半导体工艺设备的排气系统及气路系统在权利要求书中公布了:1.一种半导体工艺设备的排气系统,其特征在于,包括排气主路、排气支路、抽气组件、控压阀、第一截止组件、第一连接支路、第二连接支路、压力检测组件和控制器; 所述排气主路与所述控压阀连接,所述控压阀将所述排气主路划分为第一段管路和第二段管路,所述排气主路的第一段管路的进气口与所述半导体工艺设备的反应腔室的出气口连通,所述排气主路的第一段管路的出气口与所述控压阀的一端连接,所述控压阀的另一端与所述排气主路的第二段管路的进气口连接,所述排气主路的第二段管路的出气口与所述抽气组件的进气口连通; 所述排气主路的第一段管路的进气口与出气口之间的管路与所述第一连接支路的进气口连通,所述第一连接支路的出气口与所述第二连接支路的进气口连通,所述第二连接支路位于所述第一连接支路的上方; 所述压力检测组件与所述第二连接支路连接,所述压力检测组件位于所述第二连接支路的上方,用于检测所述反应腔室的压力数值; 所述排气支路的进气口与所述第二连接支路连通,所述排气支路位于所述第二连接支路的下方,且所述排气支路的进气口相对于所述压力检测组件靠近所述第二连接支路的进气口,所述排气支路的出气口与所述抽气组件连通,所述排气支路的进气口与出气口之间管路连接所述第一截止组件; 所述控制器与所述控压阀、所述第一截止组件和所述压力检测组件电连接,所述控制器根据所述压力检测组件检测的不同压力数值控制所述控压阀和所述第一截止组件二者之一打开以及二者之另一关闭; 所述压力检测组件包括第一薄膜规、第二薄膜规和第二截止组件,所述第一薄膜规的量程大于所述第二薄膜规的量程,所述第二薄膜规通过所述第二截止组件与所述第二连接支路连接; 所述控制器根据所述第一薄膜规检测的不同压力数值控制所述第二截止组件打开或关闭,以使所述第二薄膜规与所述第二连接支路连通或断开; 当所述第一薄膜规检测的压力数值大于第一值时,所述控制器控制所述第一截止组件打开,所述第二截止组件和所述控压阀关闭;当所述第一薄膜规检测的压力数值小于所述第一值大于第二值时,所述控制器控制所述控压阀打开,所述第一截止组件和所述第二截止组件关闭;当所述第一薄膜规检测的压力数值小于所述第二值时,所述控制器控制所述第二截止组件再打开,所述第二薄膜规检测所述反应腔室的压力数值; 其中,所述第一值小于600torr,所述第二值小于所述第一值且位于所述第二薄膜规的量程范围内。
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