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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411318844.0，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法是由杨克伟;尤翠萍;曲晓东;赵斌;江土堆;程桢;罗桂兰;陈凯轩设计研发完成，并于2024-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，在介质膜层背离外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且粘附结构同时还与金属反射层及欧姆接触层形成连接，图形化的粘附结构可在不影响出光效果的同时能提高介质膜层、金属反射层及欧姆接触层三者之间的粘附效果,避免因金属反射镜与介质膜层之间的粘附性差造成外延脱落的问题，可用来提高芯片的可靠性和稳定性，进而提高LED芯片良率，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。

本发明授权一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔型垂直结构LED芯片，其特征在于，包括： 导电基板； 设置于所述导电基板一侧的金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧表面设有向所述第一型半导体层延伸的凹槽，并显露所述第一型半导体层的部分表面，所述第一方向垂直于所述导电基板，并由所述导电基板指向所述外延叠层； 所述反射结构包括介质膜层和金属反射层，所述介质膜层设置于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面并延伸至所述凹槽的侧壁，且所述介质膜层包括介质通孔，所述介质通孔显露所述第二型半导体层；所述金属反射层设置于所述介质膜层背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述介质通孔与所述第二型半导体层形成电连接； 所述欧姆接触层包覆所述金属反射层的裸露面并延伸至所述介质膜层的部分表面，且所述欧姆接触层朝向所述外延叠层的一侧具有裸露面以用于外部电连接； 其中，在所述介质膜层背离所述外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且所述粘附结构同时还与所述金属反射层及所述欧姆接触层形成连接； 所述粘附结构包括第一粘附结构和第二粘附结构，所述第一粘附结构设置于所述介质膜层与所述金属反射层之间的边缘区域，所述第二粘附结构设置于所述介质膜层与所述金属反射层之间的中间区域； 所述金属反射层包括金属开口，所述金属开口显露所述第二粘附结构，所述欧姆接触层通过所述金属开口与第二粘附结构连接,且所述第二粘附结构包括反射结构； 所述第二粘附结构包括沿背离外延叠层的方向依次层叠的第一粘附子层、中间层及第二粘附子层，其中，所述中间层为高反射率的金属材质，包括Ag、Al、Au、Rh中的一种或多种； 所述绝缘层覆盖所述欧姆接触层朝向所述导电基板一侧的裸露面，且所述绝缘层与所述介质膜层接合，并裸露所述凹槽的底部形成第一通孔； 所述金属键合层层叠于所述绝缘层背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述第一通孔与所述第一型半导体层形成电连接，且所述导电基板层叠于所述金属键合层背离所述外延叠层的一侧表面。

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