苏州森斯缔夫传感科技有限公司王玲获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州森斯缔夫传感科技有限公司申请的专利简易式单晶硅压力传感模组获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223376798U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422295376.1，技术领域涉及：G01L1/22；该实用新型简易式单晶硅压力传感模组是由王玲;王珂;张苗设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本简易式单晶硅压力传感模组在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种简易式单晶硅压力传感模组，包括有承载衬底，承载衬底的上端设置有单晶硅感应膜，单晶硅感应膜的内侧与承载衬之间构成感压腔体，单晶硅感应膜的内侧，设置有圆弧状构造，感压腔体中设置有若干压敏感应组件，单晶硅感应膜位于感压腔体的外侧，设置有若干接线机构，接线机构与对于的压敏感应组件相连，承载衬底设置有导线机构，导线机构与接线机构相连，圆弧状穹顶构造的圆心位置，设置有受压传递机构。由此，采用圆弧状穹顶构造，能在出现压力波动的时候，产生适当的形变，便于压敏感应组件捕获，提升传感的灵敏度。采用四等分的压敏感应组件分布，不会出现测量死角，可以有效感知当前所处环境中的压力变化。
本实用新型简易式单晶硅压力传感模组在权利要求书中公布了：1.简易式单晶硅压力传感模组，包括有承载衬底，其特征在于：所述承载衬底的上端设置有单晶硅感应膜，所述单晶硅感应膜的内侧与承载衬之间构成感压腔体，所述单晶硅感应膜的内侧，设置有圆弧状构造，所述感压腔体中设置有若干压敏感应组件，所述单晶硅感应膜位于感压腔体的外侧，设置有若干接线机构，所述接线机构与对于的压敏感应组件相连，所述承载衬底设置有导线机构，所述导线机构与接线机构相连，所述圆弧状构造的圆心位置，设置有受压传递机构。
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