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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于层间自愈合的金属增材制造匙孔消除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119076975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411303967.7，技术领域涉及：B22F10/28；该发明授权一种基于层间自愈合的金属增材制造匙孔消除方法是由王军;李杰;万杰;李金山;唐斌;陈彪;王毅;赖敏杰;樊江昆;袁睿豪设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于层间自愈合的金属增材制造匙孔消除方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于层间自愈合的金属增材制造匙孔消除方法，包括步骤1：进行多参数组合下的单道成形实验，判定匙孔缺陷产生位置；步骤2：在步骤1实验参数的基础上，进行多参数组合下的多道成形实验，根据匙孔缺陷自愈合情况提出多道成形匙孔的自愈合条件；步骤3：针对遗传匙孔缺陷，通过成形参数设计提出相应的匙孔自愈合主动控制策略，获得无内部匙孔的增材试样；步骤4：对步骤3获得的试样进行后处理，使得匙孔完全消除。利用本发明的层间自愈合金属增材制造匙孔消除方法，可以快速获得合适的打印参数来制备内部无匙孔缺陷的致密试样，有望为在线检测过程工艺条件主动控制提供理论依据。

本发明授权一种基于层间自愈合的金属增材制造匙孔消除方法在权利要求书中公布了：1.一种基于层间自愈合的金属增材制造匙孔消除方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤1：将金属粉末进行多参数组合下的单道增材成形工艺得到单道成形试样，获取所述单道成形试样的匙孔缺陷最底部距离熔池最底部的垂直距离； 步骤2：在步骤1成形工艺参数的基础上，进行多参数组合下的多道增材成形工艺得到多道成形试样，获取相对于成形平面最低的两相邻熔池交界处距离该成形层最深熔池底部的垂直距离和粉床层厚； 步骤3：根据所述匙孔缺陷最底部距离熔池最底部的垂直距离、所述相对于成形平面最低的两相邻熔池交界处距离该成形层最深熔池底部的垂直距离和所述粉床层厚的大小关系，得到多道成形匙孔的自愈合条件； 所述多道成形匙孔的自愈合条件判定方法具体为： 所述匙孔缺陷最底部距熔池最底部的垂直距离≥所述相对于成形平面最低的两相邻熔池交界处距离该成形层最深熔池底部的垂直距离+所述粉床层厚，匙孔缺陷为自愈合模式； 所述匙孔缺陷最底部距熔池最底部的垂直距离＜所述相对于成形平面最低的两相邻熔池交界处距离该成形层最深熔池底部的垂直距离+所述粉床层厚，匙孔缺陷为遗传模式； 步骤4：根据所述多道成形匙孔的自愈合条件，调整多道成形参数，使多道成形试样的匙孔能够在成形过程中自愈合，最终获得无内部匙孔的增材试样： 当匙孔缺陷满足自愈合模式的条件时，则保持步骤2的多道成形参数选择进行多道增材成形工艺，使多道成形试样的匙孔能够在成形过程中自愈合，最终获得无内部匙孔的增材试样； 当匙孔缺陷满足遗传模式的条件时，调整多道成形参数进行多道增材成形工艺，直至所述多道成形试样的匙孔缺陷满足自愈合模式，则保持该次满足自愈合模式的多道成形参数选择进行多道增材成形工艺，使多道成形试样的匙孔能够在成形过程中自愈合，最终获得无内部匙孔的增材试样；其中，所述多道成形参数包括扫描间距及扫描策略； 步骤5：对步骤4获得的增材试样进行后处理，使得匙孔完全消除。

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