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龙图腾网获悉北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司;浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种全铜互连的封装集成装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411309305.0，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种全铜互连的封装集成装置及制造方法是由刘朝辉;闫海东;张亚昆;吴新科;师帅;盛况设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全铜互连的封装集成装置及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种全铜互连的封装集成装置及制造方法，包括：基板，包括依次接触的上铜层、陶瓷层、下铜层，上铜层包括功率回路区域、控制回路区域、电极组装区域，各个部分之间电绝缘；上桥功率MOS管，漏极面与上桥功率回路区域外表面贴合并与之电连接；下桥功率MOS管，漏极面与下桥功率回路区域外表面贴合并与之电连接，且通过第一铜夹与上桥功率MOS管的源极面电连接；散热器，设置于下铜层的外表面上；上桥功率MOS管和下桥功率MOS管的漏极面、源极面位于相对面。本发明采用铜夹互连降低了杂散电感，有利于散热和均温；MOS管的采用双面烧结铜层，极大降低电迁移；基板与散热器采用了大面积铜烧结连接，提高了可靠性，简化了工艺。

本发明授权一种全铜互连的封装集成装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种全铜互连的封装集成装置，其特征在于，包括： 基板，包括依次接触的上铜层、陶瓷层、下铜层，所述上铜层包括功率回路区域、控制回路区域、电极组装区域，各个部分之间电绝缘，所述功率回路区域包括上桥功率回路区域、下桥功率回路区域，所述控制回路区域包括上桥控制回路区域、下桥控制回路区域，每个控制回路区域包括栅极电阻组装区域与开尔文源极键合区域； 上桥功率MOS管，漏极面与所述上桥功率回路区域的外表面通过烧结铜膏实现机械连接与电连接，源极面与第一铜夹通过烧结铜膏实现机械连接与电连接； 下桥功率MOS管，漏极面与所述下桥功率回路区域的外表面通过烧结铜膏实现机械连接与电连接，且通过第一铜夹与所述上桥功率MOS管的源极面实现电连接，源极面与第二铜夹通过烧结铜膏实现机械连接与电连接； 散热器，设置于所述下铜层的外表面上； 所述上桥功率MOS管和下桥功率MOS管的漏极面、源极面位于相对面。

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