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西安电子科技大学沈祥获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种改进型级联低噪与低功耗动态比较器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119232162B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411279293.1,技术领域涉及:H03M1/34;该发明授权一种改进型级联低噪与低功耗动态比较器是由沈祥;权星;高晓强;詹劲松;孙璐;于皓瑜设计研发完成,并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种改进型级联低噪与低功耗动态比较器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种改进型级联低噪与低功耗动态比较器,属于集成电路设计领域,包括:包括复位单元连接差分输入放大单元的输出端,对差分输入放大单元的输出端进行复位;差分输入放大单元包括级联输入结构,级联输入结构的控制端连接尾电流源控制单元,级联输入结构的输出端连接锁存单元,用于接收差分输入信号,并对差分输入信号通过所述级联输入结构进行多次放大后得到差分放大信号,将差分放大信号输出至锁存单元;尾电流源控制单元提供稳定电流至所述差分输入放大单元;锁存单元接收所述差分放大信号并建立锁存后输出差分输出信号。本发明能够在实现低噪声的情况下,提高比较速度的同时降低功耗。

本发明授权一种改进型级联低噪与低功耗动态比较器在权利要求书中公布了:1.一种改进型级联低噪与低功耗动态比较器,其特征在于,包括: 复位单元,连接差分输入放大单元的输出端,用于接收反相时钟控制信号并根据所述反相时钟控制信号对差分输入放大单元的输出端进行复位; 差分输入放大单元,包括级联输入结构,所述级联输入结构的控制端连接尾电流源控制单元,所述级联输入结构的输出端连接锁存单元,用于接收差分输入信号,并对所述差分输入信号通过所述级联输入结构进行多次放大后得到差分放大信号,将差分放大信号输出至锁存单元; 尾电流源控制单元,用于接收时钟控制信号并根据所述时钟控制信号提供稳定电流至所述差分输入放大单元; 锁存单元,用于接收所述差分放大信号并建立锁存后输出差分输出信号; 所述差分输入放大单元包括PMOS管M1、PMOS管M2和级联输入结构; PMOS管M1和PMOS管M2的源极分别连接所述尾电流源控制单元,PMOS管M1的栅极连接正向输入信号VP,PMOS管M2的栅极连接负向输入信号VN,PMOS管M1和PMOS管M2的漏极连接所述级联输入结构; 所述级联输入结构包括:PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7和NMOS管M8; PMOS管M3的栅极连接正向输入信号VP,PMOS管M4的栅极连接负向输入信号VN,PMOS管M3的源极连接PMOS管M1的漏极、NMOS管M5的漏极和NMOS管M6的栅极,PMOS管M4的源极连接PMOS管M2的漏极、NMOS管M6的漏极和NMOS管M5的栅极,PMOS管M3的漏极连接NMOS管M7的漏极和NMOS管M8的栅极,PMOS管M4的漏极连接NMOS管M8的漏极和NMOS管M7的栅极,NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7和NMOS管M8的源极分别连接电源; 所述复位单元包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关; 所述尾电流源控制单元包括:PMOS管M9、PMOS管Msw1和PMOS管Msw2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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