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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种铁电隧道结存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411270567.0，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种铁电隧道结存储器器件是由王贺;李家晨;殷月伟;李晓光设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电隧道结存储器器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种铁电隧道结存储器器件，包括第一介质层100及在其上呈阵列排列的场效应管单体1阵列；第一介质层100上依次设置漏极条状电极5、第二介质层200、第三介质层300、铁电隧道结第一电极8、铁电介电隧穿层9、铁电隧道结第二电极10与第四介质层400。再以第四介质层400作为下一器件的第一介质层100，重复操作，能够实现三维结构铁电隧道结的多层堆叠，具有低功耗、易读取、高密度集成的优势，具有良好的实用性。

本发明授权一种铁电隧道结存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种铁电隧道结存储器器件，其特征在于：包括第一介质层100及在其上呈阵列排列的场效应管单体1阵列； 所述的场效应管单体1包括场效应晶体管源极2、场效应晶体管栅极3及场效应晶体管漏极4；所述的效应晶体管源极2在第一介质层100上呈六角密堆阵列排列； 所述的第一介质层100上设置漏极条状电极5或栅极条状电极6；漏极条状电极5连接同一行或列的场效应管单体1的场效应晶体管漏极4；栅极条状电极6连接同一行或列的场效应管单体1的场效应晶体管栅极3； 所述的第一介质层100上再设置第二介质层200，覆盖场效应晶体管漏极4与漏极条状电极5或栅极条状电极6； 所述的第二介质层200上再设置栅极条状电极6或漏极条状电极5；栅极条状电极6连接同一列或行的场效应管单体1的场效应晶体管栅极3；漏极条状电极5连接同一列或行的场效应管单体1的场效应晶体管漏极4； 所述的第二介质层200再设置第三介质层300，覆盖场效应晶体管栅极3与栅极条状电极6或漏极条状电极5； 所述的第三介质层300上对应下方的场效应晶体管源极2处向上设置连接场效应晶体管源极2的铁电隧道结第一电极8阵列；铁电隧道结第一电极8表面再设置铁电介电隧穿层9； 在当前器件上表面整体设置铁电隧道结第二电极10；再在上表面整体覆盖第四介质层400。

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