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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构、组件及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411272396.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构、组件及测试方法是由林浩锋;程勇设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构、组件及测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构，放置于切割道内，至少包括一正式测试结构，正式测试结构包括N阱电阻参考测试结构和多晶硅栅极电阻测试结构，N阱电阻参考测试结构包括有源区内的呈矩形的N阱电阻，以及位于N阱电阻两端的第一和第二测试引出端，第一和第二测试引出端分别与第一和第二测试焊盘电性连通；多晶硅栅极电阻测试结构包括N阱电阻参考测试结构和位于N阱电阻上方的至少两长条形的平行布设的多晶硅和位于N阱电阻和两多晶硅两端的第三和第四测试引出端，第三和第四测试引出端分别与第三和第四测试焊盘电性连通。该方案实现了对多晶硅栅极间金属硅化物制备工艺进行无损测试，降低了成本，提升了监测的便利性。

本发明授权多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构、组件及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构，所述工艺窗口电性测试结构放置于晶圆的切割道内，其特征在于，至少包括一正式测试结构，所述正式测试结构包括N阱电阻参考测试结构和多晶硅栅极电阻测试结构，所述N阱电阻参考测试结构和所述多晶硅栅极电阻测试结构并行上下设置于所述切割道内，所述N阱电阻参考测试结构设置有第一测试焊盘和第二测试焊盘，所述多晶硅栅极电阻测试结构设置有第三测试焊盘和第四测试焊盘，所述第一测试焊盘、第三测试焊盘、第二测试焊盘和第四测试焊盘沿着所述切割道方向交错排列，其中： 所述N阱电阻参考测试结构包括： 有源区内的N阱电阻，所述N阱电阻呈矩形，以及位于矩形的N阱电阻两端的第一测试引出端和第二测试引出端，所述第一测试引出端和第二测试引出端分别与所述第一测试焊盘和第二测试焊盘电性连通；其中，所述N阱电阻表面覆盖有金属硅化物阻挡层； 所述多晶硅栅极电阻测试结构包括： N阱电阻参考测试结构和位于所述N阱电阻上方的至少两长条形的多晶硅和位于N阱电阻和所述两长条形多晶硅两端的第三测试引出端和第四测试引出端，所述两长条形的多晶硅上下平行布设，所述两条多晶硅之间的间距位于所述第三测试引出端和所述第四测试引出端之间，且两所述多晶硅外侧的边界与所述金属硅化物阻挡层的边界持平，所述第三测试引出端和第四测试引出端分别与所述第三测试焊盘和第四测试焊盘电性连通。

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