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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利套刻误差量测准确度评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118938611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411215559.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差量测准确度评估方法是由李崇兴;张驰;赵弘文设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻误差量测准确度评估方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种套刻误差量测准确度评估方法，包括：设置套刻标识；完成前层的光刻、刻蚀工艺，将前层套刻标识形成在前层上；第一次完成当层的光刻，量测当层对前层的套刻误差；根据第一次的套刻误差量测结果生成补偿值，在特殊区域生成预设的特殊补偿值；对晶圆进行返工，根据生成的补偿值进行二次曝光；再次测量二次曝光后的套刻误差，将预设的特殊补偿值与量测得到的特殊补偿值进行相关性分析，或者将补偿后实际量测的套刻误差与补偿后预测的的套刻误差进行相关性分析；根据相关性分析结果判断量测的准确度。本发明方便快速的对线上的量测方式进行评估；灵活性较大，通过特殊区域的特殊补偿值的设置排除晶圆边缘标识受其他工艺过程的影响。

本发明授权套刻误差量测准确度评估方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差量测准确度评估方法，其特征在于，包括： S1、设置套刻标识，所述套刻标识包括匹配的前层套刻标识与当层套刻标识，设置套刻误差的量测程式； S2、晶圆包括前层和当层，完成所述前层的光刻、刻蚀工艺，将所述前层套刻标识形成在所述前层上； S3、第一次完成所述当层的光刻工艺过程，使用所述量测程式量测所述当层对所述前层的套刻误差； S4、根据第一次的套刻误差量测结果生成套刻误差的补偿值，具体在所述当层的普通区域生成普通补偿值，特殊区域生成预设的特殊补偿值； S5、对S3曝光完成后的所述晶圆进行返工，根据S4生成的所述补偿值进行二次曝光； S6、再次使用所述量测程式测量二次曝光后的套刻误差，将所述预设的特殊补偿值与量测得到的特殊补偿值进行相关性分析，或者将补偿后实际量测的套刻误差与补偿后预测的的套刻误差进行相关性分析； S7、根据相关性分析结果判断量测的准确度； 所述晶圆包括多个Shot，选取部分数量的shot作为特殊区域，剩余数量的shot作为普通区域； 所述预设的特殊补偿值是在不同的所述特殊区域在所述普通补偿值的基础上按一定梯度设置补偿量；按一定梯度变化的不同的所述预设的特殊补偿值对应分布在不同的特殊区域。

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