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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利10T-SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119091943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411210019.9，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权10T-SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片是由蔺智挺;宋小凤;王鑫;李婧怡;宇世辰;李鑫;刘玉;彭春雨;吴秀龙;胡薇;戴成虎;赵强;郝礼才;卢文娟;周永亮设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本10T-SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种10T‑SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片。10T‑SRAM单元由P1～P2和N1～N8构成。其中，P1、P2、N1～N4构成6T存储单元，剩余器件构成配置电路。N5和N6的栅极分别连接在6T存储单元中的存储节点Q和QB上；N7和N8的栅极分别接控制信号SL和SR；N5的漏极与N7的源极相连；N8的源极与N6的漏极相连；N5、N6的源极连接在传递信号线TL上，N7、N8的漏极连接在标志信号线ML上。将多个10T‑SRAM阵列排布，同行中相邻单元的TL和ML相连则构成双通道读与内容寻址的逻辑电路。本发明的电路同时具备数据存储，双通道数据读以及内容寻址功能；电路简单却功能强大，可以克服现有电路的效率和功耗缺陷。

本发明授权10T-SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片在权利要求书中公布了：1.一种10T-SRAM单元，其具有双通道数据读取以及内容寻址的功能，其特征在于，其由2个PMOS管P1～P2和8个NMOS管N1～N8构成；其中，P1、P2、N1～N4构成6T存储单元，并支持实现包含数据读、写、保持的数据存储功能；剩余的N5～N8构成配置电路，所述配置电路用于实现对6T存储单元中存储的数据进行内容查询，并提供另一个数据读取通道； 其中，所述配置电路的电路连接关系如下： N5和N6的栅极分别连接在6T存储单元中的存储节点Q和QB上；N7和N8的栅极分别接控制信号SL和SR；N5的漏极与N7的源极相连；N8的源极与N6的漏极相连；N5、N6的源极连接在传递信号线TL上，N7、N8的漏极连接在标志信号线ML上。

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