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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411189876.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备是由李育智;龚政;邹胜晗;陈志涛;赵维设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备，涉及半导体技术领域。本申请在衬底上依次制备第一电极层、绝缘层和第二电极层，使第二电极层和或第一电极层与绝缘层间隔设置有氧化物层，并保证第二电极层、绝缘层和氧化物层侧面对齐，而后依次制备半导体层、栅介质层和栅电极层，使半导体层与第一电极层和第二电极层分别形成欧姆接触或准欧姆接触，并在与氧化物层直接接触的局部区域形成耗尽区，以通过形成的耗尽区抑制晶体管器件的短沟道效应，拓展电极材料的选择范围，降低对半导体层的层厚要求，从而有益于制备超短沟道的高性能半导体器件。

本发明授权一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于，所述晶体管器件包括： 衬底； 设置在所述衬底上的第一电极层； 在所述第一电极层远离所述衬底的一侧依次层叠设置的绝缘层和第二电极层，其中所述第二电极层和或所述第一电极层与所述绝缘层间隔设置有氧化物层，所述第二电极层、所述绝缘层和所述氧化物层侧面对齐； 沿所述绝缘层和所述氧化物层的侧壁生长的半导体层，其中所述半导体层对所述第二电极层远离所述衬底的外侧表面进行覆盖，并且对所述第一电极层远离所述衬底的外侧表面的目标表面区域进行覆盖，所述目标表面区域未被所述绝缘层或所述氧化物层覆盖；其中，所述第一电极层和所述第二电极层分别与所述半导体层形成欧姆接触或准欧姆接触，所述半导体层的与所述氧化物层直接接触的局部区域形成耗尽区；其中，所述氧化物层的材料为P型氧化物材料，所述半导体层的材料为N型半导体材料；或者所述氧化物层的材料为N型氧化物材料，所述半导体层的材料为P型半导体材料； 对所述半导体层进行覆盖的栅介质层，以及对所述栅介质层进行覆盖的栅电极层。

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