江西赣锋锂电科技股份有限公司戈志敏获国家专利权
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龙图腾网获悉江西赣锋锂电科技股份有限公司申请的专利一种可实现断路的功率MOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223378166U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422029670.8，技术领域涉及：H01L23/49；该实用新型一种可实现断路的功率MOS是由戈志敏;黄文杰;赵威然;李晖;武文涛设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可实现断路的功率MOS在说明书摘要公布了：本实用新提供了一种可实现断路的功率MOS包括：芯片晶圆；栅极引脚、源极引脚、漏极引脚；所述漏极引脚与所述芯片晶圆之间通过多条第一键合线连接；所述源极引脚与所述芯片晶圆之间通过多条第二键合线连接。本实用新型的可实现断路的功率MOS可以简单地实现控制MOS的具体的熔断电流值，增加功率MOS的熔断特性，可以有效地防止主回路持续短路造成的电池及电路板损坏；同时可以简化MOS的制作工艺。
本实用新型一种可实现断路的功率MOS在权利要求书中公布了：1.一种可实现断路的功率MOS，包括： 芯片晶圆； 栅极引脚、源极引脚、漏极引脚； 其特征在于，所述漏极引脚与所述芯片晶圆之间通过多条第一键合线连接；所述源极引脚与所述芯片晶圆之间通过多条第二键合线连接；所述第一键合线的数量少于所述第二键合线的数量。
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