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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119175599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411143345.2，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法是由高威设计研发完成，并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法，所属硅片加工技术领域，包括先对椭圆形硅片进行多角度直径测量，根据多根直径数据计算出圆心所在的位置，然后重新设定倒角加工承载台的圆心的坐标，增加圆心坐标则定位缺口位置加工量增加，降低圆心坐标定位缺口位置加工量减小。根据定位缺口深度计算出偏心加工量，设置各项直径补偿进给量，然后硅片将按不同直径方向进给量进入倒角砂轮沟槽加工，最终形成纯圆形貌。具有操作便捷和加工稳定性好优点。解决了硅片辊磨过程出现椭圆的问题。通过在硅片倒角加工前增加外型测量，并根据定位缺口位置直径数据与短边直径数据对比计算，然后根据目标值修正长边直径去除量，从而达到硅片整圆过程。

本发明授权硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：使用轮廓测量仪器，测量待加工硅片各方向直径数据； 第二步：根据定位缺口位置直径数据与短边直径数据对比计算，计算出硅片真实圆心坐标；根据计算公式（Dia-2×Vh）2=d,首先测量整体硅片缺口处最大直径Dia，计算出去除缺口Vh后的内部圆半径d；然后再根据公式（Dia2-2×Vh）2=d2，计算出水平方向内部圆半径d2，然后d-d2=d3，当d3＞0，则录入调整圆心坐标（0，d3）；当d3＜0,则录入坐标（d3,0）；当d3=0，则不调整； 第三步：将圆心真实坐标录入加工软件，根据目标值修正长边直径去除量；当计算结果d3＞0，则硅片放置在加工载台后，Y轴在载台0°及180°位置时移动-d3距离；当d3＜0,则硅片放置在加工载台后，Y轴在载台90°及270°时移动-d3距离，当d3=0，则不调整； 第四步：启动倒角机电源，1#真空吸附机械手开始取片加工作业； 第五步：硅片厚度测量、硅片晶向测量； 第六步：1#真空机械手吸附硅片以调整圆心坐标后的状态靠近倒角砂轮粗研磨沟槽； 第七步：2#真空吸附机械手开始取片加工作业；硅片厚度测量、硅片晶向测量； 第八步：1#真空机械手吸附硅片以常规状态靠近倒角砂轮精研磨沟槽； 第九步：2#真空机械手吸附硅片以调整圆心坐标后状态靠近倒角砂轮粗研磨沟槽； 第十步：1#真空机械手携带加工完成硅片返回片盒中； 第十一步：2#真空机械手吸附硅片以常规状态靠近倒角砂轮精研磨沟槽； 第十二步：1#机械手循环下一枚加工，2#真空机械手携带加工完成硅片返回片盒中，2#机械手循环下一枚加工。

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