上海泽丰半导体科技有限公司;华东理工大学曾惠丹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海泽丰半导体科技有限公司;华东理工大学申请的专利单晶玻璃陶瓷及其制备方法和玻璃粉体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118930056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411133831.6，技术领域涉及：C03C10/04；该发明授权单晶玻璃陶瓷及其制备方法和玻璃粉体及其制备方法是由曾惠丹;贾庆超;王闻之;陈晨;于航;余佳妍设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶玻璃陶瓷及其制备方法和玻璃粉体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单晶玻璃陶瓷的制备方法、一种玻璃粉体的制备方法、一种玻璃粉体，以及一种单晶玻璃陶瓷。单晶玻璃陶瓷的制备方法包括步骤：将玻璃粉体与有机溶剂混合，经过流延得到生瓷带，将所述生瓷带叠片、压片后，放入烧结炉中烧结；所述烧结过程包括：以1～2℃min的速率升温至500～550℃，保温4～5小时后进行排胶；以3～5℃min的速率升温至860～880℃，保温10～30分钟；以及冷却后以获得单晶玻璃陶瓷。
本发明授权单晶玻璃陶瓷及其制备方法和玻璃粉体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于，包括步骤： 将玻璃粉体与有机溶剂混合，经过流延得到生瓷带，将所述生瓷带叠片、压片后，放入烧结炉中烧结，按摩尔百分比计，所述玻璃粉体包括41.68～47.2mol％的CaO、12.7～15.01mol％的B2O3、37.77～40.97mol％的SiO2和掺杂的改性剂离子，所述改性剂离子包括Al2O3，所述玻璃粉体包括0.34～3mol％的所述Al2O3，所述玻璃粉体的硅钙比为0.9～1； 所述烧结过程包括： 以1～2℃min的速率升温至500～550℃，保温4～5小时后进行排胶； 以3～5℃min的速率升温至860～880℃，保温10～30分钟；以及 冷却后以获得单晶玻璃陶瓷。
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