湖北星辰技术有限公司谢冬获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411123618.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由谢冬;赵平;吴柱锋设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及集成电路技术领域，包括提供底晶圆，底晶圆上形成有多个芯片，在芯片内形成有第一散热结构；提供载体晶圆，在载体晶圆内形成第二散热结构；使载体晶圆的第二散热结构面向底晶圆的第一散热结构对应贴合，以使载体晶圆键合于底晶圆上的多个芯片上；在芯片远离第一散热结构的一面形成引出结构,以用于连接芯片和印刷线路板；减薄载体晶圆，使第二散热结构露出于载体晶圆远离第一散热结构的一面；在露出的第二散热结构一侧形成导热层。第一散热结构和第二散热结构将芯片的热量导出；载体晶圆减薄，第二散热结构的一侧还形成导热层，导热层和第二散热结构贴合快速导热，对芯片散热，提高其性能和可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供底晶圆，所述底晶圆上形成有多个芯片，在所述芯片内形成有第一散热结构； 提供载体晶圆，在所述载体晶圆内形成第二散热结构； 使所述载体晶圆的第二散热结构面向所述底晶圆的第一散热结构对应贴合，以使所述载体晶圆键合于所述底晶圆上的多个芯片上； 在所述芯片远离所述第一散热结构的一面形成引出结构,以用于连接所述芯片和印刷线路板； 减薄所述载体晶圆，使所述第二散热结构露出于所述载体晶圆远离所述第一散热结构的一面； 在露出的所述第二散热结构一侧形成导热层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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