江苏第三代半导体研究院有限公司王阳获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种LED与HEMT集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411099612.0，技术领域涉及：H10H29/10；该发明授权一种LED与HEMT集成器件及其制备方法是由王阳;王国斌设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED与HEMT集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED与HEMT集成器件及其制备方法。集成器件包括衬底、至少一个凸起结构、LED叠层和HEMT叠层：凸起结构位于衬底的一侧；凸起结构包括相互邻接的不同外表面，HEMT叠层的至少部分结构和LED叠层的至少部分结构分别位于凸起结构的不同外表面，且HEMT叠层与LED叠层至少部分接触；HEMT叠层中包括二维电子气，二维电子气向LED叠层提供电子。通过上述方案，可实现LED与HEMT的单片集成，利用HEMT独立驱动LED，在保证LED驱动效果的前提下简化集成工艺流程、降低集成难度、减小集成器件尺寸、提升集成器件性能。
本发明授权一种LED与HEMT集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED与HEMT集成器件，其特征在于，包括衬底、至少一个凸起结构、LED叠层和HEMT叠层： 所述凸起结构位于所述衬底的一侧； 所述凸起结构包括相互邻接的不同外表面，所述HEMT叠层的至少部分结构和所述LED叠层的至少部分结构分别位于所述凸起结构的不同外表面，且所述HEMT叠层与所述LED叠层至少部分接触； 所述HEMT叠层中包括二维电子气，所述二维电子气向所述LED叠层提供电子； 所述HEMT叠层包括沟道层和势垒层，所述沟道层和所述势垒层之间形成所述二维电子气； 所述LED叠层包括有源层和空穴传输层，所述空穴传输层位于所述有源层背离所述凸起结构的一侧； 所述有源层超出所述凸起结构并与至少部分所述势垒层接触，所述沟道层和所述势垒层均与所述有源层交叠。
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