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龙图腾网获悉广东省科学院新材料研究所申请的专利一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118979220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411076802.0，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用是由林松盛;陈彦军;唐鹏;苏一凡;韦春贝;石倩;张程;李小亚;黄淑琪设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用，属于耐磨涂层技术领域。该硅掺杂类金刚石复合润滑涂层包括用于在基底表面依次设置的SiC打底层和Si‑DLC功能层；其中，SiC打底层具有柱状结构，SiC打底层的厚度为0.3μm～0.4μm；Si‑DLC功能层具有致密的无特征结构，Si‑DLC功能层的厚度为2.0μm～5.0μm。该涂层能够同时具有低摩擦、高硬度、高韧性、高耐磨以及抗开裂性能。其制备方法简单，易操作，具有沉积温度低、成膜均匀、重复性好以及实用性广等特点。所得的涂层既可用于硬质基底，也可用于柔性基底，极大拓宽了类金刚石薄膜的应用范围。

本发明授权一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层，其特征在于，所述硅掺杂类金刚石复合润滑涂层包括用于在基底表面依次设置的SiC打底层和Si-DLC功能层； 其中，所述SiC打底层具有柱状结构，所述SiC打底层的厚度为0.3μm~0.4μm；所述Si-DLC功能层具有致密的无特征结构，所述Si-DLC功能层的厚度为2.0μm~5.0μm； 所述SiC打底层中，Si的质量百分数为25%~35%，C的质量百分数为65%~75%； 所述Si-DLC功能层中，Si的质量百分数为2%~8%，DLC的质量百分数为92%~98%； 所述硅掺杂类金刚石复合润滑涂层的制备方法包括以下步骤：于基底表面依次设置所述SiC打底层和所述Si-DLC功能层； 采用直流磁控溅射的方法制备所述SiC打底层； 所述SiC打底层的制备条件包括：设备腔室内的真空度优于1.0×10-3Pa，设备内通入50sccm~80sccm的氩气，维持气压为0.2Pa~0.3Pa；基体偏压为-50V~-100V，偏压占空比为50%~60%；靶电流为1.0A~2.0A，沉积时间为20min~30min； 靶材为石墨-硅复合靶，其中，Si含量占比为35wt%~45wt%； 采用阳极离子源辅助的高功率脉冲磁控溅射技术制备所述Si-DLC功能层； 所述Si-DLC功能层的制备条件包括：氩气的通入量为50sccm~80sccm，气压为0.2Pa~0.3Pa；基体偏压为-50V~-100V，偏压占空比为50%~60%；采用C-Si复合靶，Si含量占比为5wt%~10wt%，HiPIMS脉冲功率为5.0kW~8.0kW，占空比为1.0%~5.0%；阳极层离子源对溅射气体进行辅助离化对应的阳极层离子源功率为0.50kW~0.75kW，占空比为50%~60%；沉积时间为6h~10h。

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